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真空鍍膜基本技術 介紹 簡谷衛 真空鍍膜基本技術介紹 1 主題 1. 真空技術介紹 2. PVD 濺鍍原理介紹 3. CVD鍍膜原理介紹 4. 真空鍍膜製程設備重要元件介紹 真空鍍膜基本技術介紹 2 十大重要觀念 1. 尺度(scale) 2. 分子流與黏滯流 3. 抽真空時的氣體來源 4. 平均自由徑 5. 空氣的組成 6. 真空度與力量的關係 7. 磁控濺射源的磁鐵作用 8. Sputtering Yield 9. CVD 的step coverage 10. Gauge pump 與流體特性的關聯 真空鍍膜基本技術介紹 3 主題一 真空介紹 真空鍍膜基本技術介紹 4 壓力(Pressure) Q: 什麼是壓力？ A: 由分子之撞擊產生 壓力= 力/面積 P1 P2 p3 1ATM(一大氣壓)= 2.5*1019 分子/cm3 真空鍍膜基本技術介紹 5 水銀柱與真空 Q: 甚麼是真空? A: 一個空間內之壓力小於周圍環境之壓力 Atmosphere Vacuum 1大氣 真空 真空鍍膜基本技術介紹 6 氣體分子的大小 氣體 动力学直径 氣體 动力学直径 (nm) (nm) He 0.26 N2 0.364 H2 0.289 CO 0.376 NO 0.317 CH4 0.38 CO2 0.33 C2H4 0.39 Ar 0.34 Xe 0.396 O2 0.346 C3H8 0.43 1 μm =1000nm ; 1mm = 1000μm ; 1m=1000mm 1根頭髮直徑~70 μm 真空鍍膜基本技術介紹 7 壓力單位(Pressure Unit)  1 ATM(1大氣壓) 長度單位 = 1013mbar(hpa) = 1.013bar •1m(米) 2