电势对硅片摩擦电化学材料去除特性的影响.pdfVIP

第４６卷　 第７期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ４６ Ｎｏ７ 　 　 ２０ １４年７月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｊｕｌ． ２０１４ 　 　 　 　 　 　 电势对硅片摩擦电化学材料去除特性的影响 王金虎，翟文杰 （哈尔滨工业大学 机电工程学院，１５０００１哈尔滨） 摘　 要：为了提高硅片抛光效率，改善抛光表面质量，采用电化学交流阻抗谱法实验研究了极化电势对硅片表面钝化作 用的影响规律，结合摩擦电化学实验探讨了极化电势对硅片表面摩擦系数及材料去除特性的影响．结果表明，在碱性 ＣｅＯ 抛光液中，对硅片施加１Ｖ 阳极极化电势能够促进其表面形成抑制腐蚀的钝化层，极化电势过高会破坏表面钝化 ２ 层，过低则抑制钝化层形成．良好的硅片表面钝化层能够有效增大其摩擦系数，提高摩擦电化学实验过程中的材料去 除率． 关键词：硅片；极化电势；钝化；摩擦电化学；材料去除 － － － 中图分类号：ＴＨ１７７２ 文献标志码：Ａ 文章编号：０３６７ ６２３４（２０１４）０７ ００２０ ０６ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｏｎ ｔｒｉｂｏ⁃ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｍａｔｅｒｉａｌ ｒｅｍｏｖａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ ＷＡＮＧＪｉｎｈｕ，ＺＨＡＩ Ｗｅｎｊｉｅ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１５０００１Ｈａｒｂｉｎ，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ： Ｔｏ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ａｎｄ ｉｍｐｒｏｖｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｑｕａｌｉｔｙ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ， ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｗｅｒｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ｓｔｕｄｙ ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｏｎ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ，ｂａｓｅｄ － ｏｎｗｈｉｃｈ ｔｒｉｂｏ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｔｅｓｔｓｗｅｒｅ ｄｏｎｅ ｔｏ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｏｎｆｒｉｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｍａｔｅｒｉａｌ ｒｅｍｏｖａｌ． Ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ ｗｉｔｈ ｂｅｔｔｅｒ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｃａｎ ｂｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｕｎｄｅｒ ａｎｏｄｅｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｏｆ １Ｖｉｎ ａｌｋａｌｉｎｅ ＣｅＯ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇｌｉｑｕｉｄ．Ａｈｉｇｈｅｒｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｗｏｕｌｄｄｅｓｔｒｏｙ ２ ｔｈｅ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ，ｗｈｉｌｅ ａ ｌｏｗｅｒ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｗｏｕｌｄ ｓｕｐｐｒｅｓｓ ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｔ． Ｍｏｒｅｏｖｅｒ，ｔｈｅ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｗａｆｅｒ ｃａｎ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｆｒｉｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ａｓｗｅｌｌ ａｓ ｍａｔｅｒｉａｌ ｒｅｍｏｖａｌ ｒａｔｅ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｓ