ic工艺技术6-外延.pptVIP

外延技术讲座提要 外延工艺简述 外延的某些关键工艺 几种常见外延炉性能比较 外延工艺及设备的展望 一、外延工艺简述 1.外延的含意 Epi—taxy是由希腊词来的表示在上面排列 upon to arrange。 外延的含意是在衬底上长上一层有一定厚度一定电阻率及一定型号的单晶。 外延是一种单晶生长技术但又不同于拉晶、也不同于一般的CVD 。 2.外延的优点 减少串联电阻 简化隔离技术 消除CMOS的可控硅效应 可以根据器件的要求,随心所欲地生长,各种不同型号，不同电阻率和厚度的外延层。 CMOS电路的latch-up效应用重掺衬底加外延可以减小这效应 3.外延沉积的原理 1)反应式 SiHX1CLY+X2H2 Si+YHCL 2)主要外延生长源 4.外延工艺过程 装片 赶气 升温 恒温(850oC) 烘烤6’ 升温(1200o ?) HCL腐蚀 赶气 外延沉积 赶气并降温 N2赶气(3’) 取片 5.HCL腐蚀的作用 清洁表面减少缺陷 减少前工艺所引入的损伤，降低和消除晶体缺陷 HCL的腐蚀量约0.2-0.4μ，我们选用腐蚀速率为0.06μ/m 时间4’约去除0.24μ。 6.外延掺杂 掺杂源： N型：PH3/H2 AS3/H2 P型：B2H6/H2 掺杂方式： source%=inject% diluent%