半导体器件物理第六章.pptxVIP

相关主题MOS二极管的VT与反型条件MOSFET基本特性按比例缩小理论与短沟道效应的关系低功耗CMOS逻辑MOS存储器结构基本FET结构 6.1MOS二极管 MOS二极管是MOSFET器件的枢纽；在IC中，亦作为一储存电容器；CCD器件的基本组成部分。 6.1.1 理想MOS二极管理想P型半导体MOS二极管的能带图：功函数（金属的Φm和半导体的Φs ）电子亲和力理想MOS二极管定义：零偏压时，功函数差Φms为零；任意偏压下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等，极性相反；直流偏压下，无载流子通过氧化层。MOS二极管中三个分离系统的能带图 半导体表面三种状态 随金属与半导体所加的电压VG而变化，半导体表面出现三种状态：基本上可归纳为堆积、耗尽和反型三种情况。以P型为例，当一负电压施加于金属上，在氧化层与半导体的界面处产生空穴堆积，——积累现象。外加一小量正电压，靠近半导体表面的能带将向下弯曲，使多数载流子（空穴）形成耗尽——耗尽现象。外加一更大正电压，能带向下弯曲更严重，使表面的Ei越过EF,当电子浓度远大于空穴浓度时——反型现象。三种状态 由p型半导体构成的MOS结构在各种VG下的表面势和空间电荷分布：表面电势ψs：ψs0空穴积累；ψs=0平带情况；ψBψs0空穴耗尽；ψs = ψB 禁带中心，ns=np=ni；ψs ψB 反型（ ψs 2ψB 时，强反型）；强反型时，表面耗尽区的宽度达到最大值：Qs=Qn+Qsc=Qn-qNAWm理想MOS二极管的C-V曲线V=Vo+ψsC=CoCj/(Co+Cj)强反型刚发生时的金属平行板电压——阈值电压一旦当强反型发生时，总电容保持在最小值Cmin。理想MOS二极管的C-V曲线理想情况下的阈值电压：强反型发生时，Cmin：6.1.2 实际MOS二极管 金属-SiO2-Si为广泛研究，但其功函数差一般不为零，且在氧化层内部或SiO2-Si界面处存在的不同电荷，将以各种方式影响理想MOS的特性。一、功函数差铝：qΦm=4.1ev；高掺杂多晶硅：n+与p+多晶硅的功函数分别为4.05ev和5.05ev；随着电极材料与硅衬底掺杂浓度的不同，Φms发生很大变化；为达到理想平带状态，需外加一相当于功函数的电压，此电压成为平带电压（VFB）。金属与半导体功函数差对MOS结构C-V特性的影响曲线（1）为理想MIS结构的C-V曲线曲线（2）为金属与半导体有功函数差时的C-V曲线 二、界面陷阱与氧化层电荷 主要四种电荷类型：界面陷阱电荷、氧化层固定电荷、氧化层陷阱电荷和可动离子电荷。实际MOS二极管的C-V曲线平带电压：实际MOS二极管的阈值电压：6.1.3 CCD器件 三相电荷耦合器件的剖面图6.2 MOSFET基本原理 MOSFET的缩写：IGFET、MISFET、MOST。 1960年，第一个MOSFET首次制成，采用热氧化硅衬底，沟道长度25um，栅氧化层厚度100nm（Kahng及Atalla）。 2001年，沟道长度为15nm的超小型MOSFET制造出来。NMOS晶体管基本结构与电路符号PMOS晶体管基本结构与电路符号6.2.1 基本特性 工作方式——线性区工作方式——饱和区 过饱和推导基本MOSFET特性理想电流电压特性基于如下假设1 栅极结构理想；2 仅考虑漂移电流；3 反型层中载流子迁移率为固定值；4 沟道内杂质浓度为均匀分布；5 反向漏电流可忽略；6 沟道内横向电场纵向电场7 缓变沟道近似。推导基本MOSFET特性简要过程：1 点y处的每单位面积感应电荷Qs（y）；2 点y处反型层里的每单位面积电荷量 Qn（y）；3 沟道中y处的电导率；4 沟道电导；5 dy片段的沟道电阻、电压降；6 由源极（y=0,V=0）积分至漏极(y=L,V=VD)得ID。沟道放大图（线性区）理想MOSFET的电流电压方程式：截止区：ID 0VG VT 线性区：长沟MOSFET的输出特性饱和区：转移特性曲线提取阈值电压研究亚阈特性举例：对一n型沟道n型多晶硅-SiO2-Si的MOSFET，其栅极氧化层厚度为8nm，NA=1017cm-3，VG=3V，计算饱和电压。 解： Co= ox/d =4.32×10-7F/cm2亚阈值区当栅极电压小于阈值电压，且半导体表面弱反型时，---亚阈值电流；在亚阈值区内，漏极电流由扩散主导；在亚阈值区内，漏极电流与VG呈指数式关系；亚阈值摆幅：[（lgID）/ VG]-1。Source Gate DrainN+(P+)N+ (P+)N+ (P+)P (N)亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势6.2.2 MOSFET种类N沟增强型N沟耗尽型P沟增强型P沟耗尽型转移特性输出特性6.2.3 阈