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第三章门 电 路;;　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。;uo;2、三极管的开关特性;＋;②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：;MOSFET （ IGFET ）;D(Drain)为漏极 相当c G(Gate)为栅极 相当b S(Source)为源极 相当e;.2 工作原理与特性曲线;预夹断 （vGD=VT）;?特性曲线;各类场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;结型场效应管;3、场效应管的开关特性;.2 分立元件门电路;2、二极管或门;3、三极管非门;①当uA＝0V时，由于uGS＝uA＝0V，小于开启电压UT，所以MOS管截止。输出电压为uY＝VDD＝10V。;1、TTL与非门;;①输入信号不全为1：如uA=0.3V， uB=3.6V;3.6V;功能表;74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。;2、TTL非门、或非门、与或非门、与门、或门及异或门;①A、B中只要有一个为1，即高电平，如A＝1，则iB1就会经过T1集电结流入T2基极，使T2、T5饱和导通，输出为低电平，即Y＝0。;①A和B都为高电平（T2导通）、或C和D都为高电平（T′2导通)　　 　　时,T5饱和导通、T4截止，输出Y=0。;与门;问题的提出