自旋电子之研究与发展.pdf

自旋電子之研究與發展 文/黃榮俊 隨著科學的進步以及製程與製作技術的改良與 屬摻雜氧化物之稀磁性半導體的研究。它們是目前具 突破，磁性薄膜的研究發展從金屬、氧化物等材料， 備有室溫居禮溫度的熱門稀磁性半導體材料之一 。文 正逐漸朝向半導體電子應用的材料發展。半導體積體 中除了對於稀磁性半導體的研究做歷史回顧以及現況 電路具有高集積度、高訊號處理速度以及極佳的可靠 發展作說明之外，並介紹幾種以稀磁性半導體為主的 度，其運作乃利用載子(電子與電洞)的電荷性質，藉 自旋電子元件應用。我們利用離子束濺鍍系統 ，以多 由外加電場來控制半導體中載子的流動。然而，積體 層膜的成長技術來製作(ZnO, CoFe)稀磁性半導體。在 電路為達到更快速更密集的需求時，奈米級尺寸的元 控制適當的磁性金屬的厚度（亦即不連續的金屬顆粒 件開發勢在必行，此時載子間自旋有關的交換交互作 的分佈情況 ），可以得到較純相的稀磁