BN纳米带几何结构和电子性质第一性原理研究.docVIP

第11卷第20期2011年7月1671—1815(201120-4691-04 科学技术与工程 Science Technology and Engineering Vol.11No.20July 2011 2011Sci.Tech.Engng. BN 纳米带几何结构和电子性质 第一性原理研究 安 博 (渭南师范学院物理与电子工程学院,渭南714000 摘要采用第一性原理研究了不同带宽下BN 纳米带的几何结构与电子性质。研究结果表明:随着带宽的增大, BN 纳米带边缘发生形变, 键角增大,B-B 键键长增大。当带宽约为1．7nm 时,B-B 键发生断裂。电子性质研究表明:随带宽减小,最高占据轨道(HOMO /最低非占据轨道(LUMO 能隙减小。对电子态密度(DOS 及赝能隙分析表明:BN 纳米带带宽越小,在费米能级处DOS 越大,且赝能隙越小。这和GNR 比较相似,说明BN 纳米带越窄电子越容易从价带向导带跃迁。关键词 BN 纳米带 几何结构 电子性质第一性原理 中图法分类号 O493．5; 文献标志码 A 2011年3月23日收到,4月2日修改渭南师范学院科研项目(10YKS007资助 作者简介:安 博(1981—,陕西渭南人,讲师,硕士,研究方向:一 维纳米材料电学性能。 自2004年成功制备二维石墨烯片以后[1] ,其优越的电学性质引起了人们对它的广泛研究。石墨烯片是指单