Al_Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究.docVIP

A l ,Mg 掺杂G a N 电子结构及光学性质的第一性原理研究 3 郭建云1 　郑　广 23 　何开华 23 　陈敬中 1 1(中国地质大学材料科学与化学工程学院,武汉　430074 2(中国地质大学数学与物理学院,武汉　4300743(中国地质大学材料模拟与计算物理研究所,武汉　430074(2007年10月13日收到;2007年12月4日收到修改稿 　　基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法,计算了Al ,Mg 掺杂的闪锌矿型G aN 的电子结构和光学性质,分析了其电子态分布与结构的关系,给出了掺杂前后G aN 体系的介电函数和复折射率函数.计算结果表明掺有Mg 的 G aN 晶体空穴浓度增大,会明显提高材料的电导率,而Al 掺杂G aN 晶体的载流子浓度不变,只是光学带隙变宽;通 过分析掺杂前后G aN 晶体的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理,为G aN 材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据.通过比较可知,所得出的计算结果与现有文献符合得很好. 关键词:G aN 晶体,电子结构,光学性质,掺杂 PACC :7115,7120,7125,7865K 3湖北省杰出青年科学基金(批准号:2006ABB031资助的课题. 通讯联系人.E 2mail :gzheng25@ 11引言 作为第三代半导体材料的代表,氮化镓基半导体材料是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件,不仅带来了IT 行业数字化存储技术的革命,也将推动通讯技术发展,并彻底改变人类传统照明的 历史[1] .氮化镓基半导体材料具有宽的直接带隙、高的击穿场强、高的热导率和非常好的物理与化学稳定性等特点;在短波长光电器件、高温器件和高频大功率器件等方面有广泛的应用前景,其物理性质引起了人们的重视,成为半导体材料和光电子器件的 研究热点[2] .对理想半导体掺杂可以使其性能得到更好的应用,比如Al 掺杂到G aN 晶体中可使得光学带隙在3142—6120eV (300K 时范围变化,使得其发射波长覆盖整个可见光区及部分紫外线区;Mg 掺杂到G aN 晶体中可得到p 型G aN ,p 型G aN 的实现,解决了制造G aN 发光器件的一个难题.实际上,Al ,Mg 掺杂G aN ,不论在实验上还是在理论上都有大量的研究.由于AlG aN 能带结构中能带间隙与对应之弯曲系数(bowing parameter 与发光波长有直接关系,尤其弯曲系数在设计发光组件的发射波长上扮 演着绝对重要的角色,所以国内外有不少研究者以 实验或理论计算的方法进行研究[3—6] ;G aN 高浓度 的p 型掺杂一直是个难题,Amano 等人[7] 利用低能电子束辐射(LEE BI 处理掺Mg 的G aN ,得到了低阻的p 型G aN ,取得了p 型掺杂的重大突破.但是LEE BI 工艺在制造不少器件的时候存在着很多的限制,因为只有G aN 薄膜表面很薄的一层p 型掺杂浓 度很高.Nakamura 等人[8] 发明了快速热退火法(rapid thermal annealing ,他们将掺Mg 的G aN 在N 2气氛中、700—800℃下退火,得到了p 型G aN ,发现空穴浓度和迁移率都大大提高了.至今,如何获得高掺杂浓度以及高质量的p 型G aN 仍是热点问题,国内外 对此有大量的报道[9—11] .但对于Al ,Mg 掺杂闪锌矿结构G aN 晶体的电子结构和光学性质理论研究目前报道得比较少,而运用平面波赝势方法(PWP 理论研究的目前还未见报道. 本文用平面波赝势方法对闪锌矿结构的G aN 晶体中掺入杂质M (M =Al ,Mg 进行超胞处理,计算了两种掺杂情况下G aN 材料的电子结构和光学性能.分析了其电子态分布与结构的关系,并深入研究了掺杂对体系导电性能的影响;研究了掺杂前后G aN 晶体的光学性质,解释了体系的发光机理.所得 第57卷第6期2008年6月100023290Π2008Π57(06Π3740207 物　理　学　报 ACT A PHY SIC A SI NIC A V ol.57,N o.6,June ,2008 ν2008Chin.Phys.S oc. 到的结果与有关文献一致. 21理论模型和计算方法 2111理论模型 G aN 通常有纤锌矿和闪锌矿两种结构[12] ,本文 采用的是闪锌矿结构.它属于F 243m (216空间群, 晶格常数a =b =c =01450nm [13] ,α=β=γ=90°,在体对角线的1Π4处为N 原子,八个角和六个面心为G a 原子,每个晶胞内含有4个G a 原子和4个N 原子.计算时超晶胞为最低对称(P 1,并取2×1×1的超晶胞(见图1,每个超晶胞内包含8个G a 原子和8个N 原子.掺杂时,M (M =Al ,Mg