第六章化学气相淀积CVD课件.pptVIP

第六章 化学气相淀积CVD 化学气相淀积CVD chemical vapor deposition： 通过气态混合物在衬底表面发生化学反应并在衬底表面淀积薄膜。 集成电路微芯片加工是一个平面的加工过程，它包含在硅片表面生长不同膜层。通过淀积工艺可以完成在硅片表面生长各种薄膜。 在微芯片加工中，淀积的薄膜必须具备如下特性： 厚度的均匀性 薄膜厚度要求均匀性，材料的电阻会随膜厚度的变化而变化，同时膜层越薄，就会有更多的缺陷，如针孔，这会导致膜本身的机械强度降低，因此我们希望薄膜有好的表面平坦度来尽可能减小台阶和缝隙。 高纯度和高密度 高纯度的膜意味着膜中没有那些会影响膜质量的化学元素或者原子。要避免沾污物和颗粒。 膜的密度也是膜质量的重要指标，它显示了膜层中针孔和空洞的多少。 在微芯片加工中，淀积的薄膜必须具备如下特性： 受控制的化学剂量 理想的膜要有均匀的组成成分，在化学反应中随着化学物质的变化，化学剂量比可以描述反应停止或平衡后反应物和生成物的变化。化学剂量比是指在化合物或分子中一种组分的量与另一组分量的比值（如水的剂量比2:1）,通过化学剂量比能够知道所需反应物的组成，通过控制化学剂量比，来控制淀积薄膜的组分. 膜的结构完整性 和低的膜应力 薄膜淀积工艺中，淀积物趋