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3.3.2MOSFET驱动电路设计
STM32F103C8有1个高级定时器TIMl和3个通用定时器(TIM2,TIM3, TIM4。其中TIMl用来输出6路互补的PWM,整个系统是由控制核心STM32F103C8输出6路带死区的PWM信号,PA8,PA9,PAIO,PBl3,PBl4, PBl5分别标记为PWMl H,PWM2H,PWM3H,PWMl L,PWM2L, PWM3L,作为PWM输出口,PWM输出频率一般在20K到50K之间,死区延迟时间为0.5ns,然后再接驱动芯片驱动MOS管,最后输出到电机的三相上控制电机的运转。驱动芯片采用IR2101S,驱动2个IRF260N型号的MOS管,该驱动芯片在高电平不低于3.3V,最大可以输出到20V,驱动的能力很强,系统的响应时间也很短,只有50ns。
本系统用的MOSFET驱动芯片为IR2101S,该芯片支持10.20V的门级驱动电压,可同时产生两路驱动信号即可以同时驱动2个MOSFET,其中的一路驱动信号可浮动到600V,是用来驱动上桥臂N沟道MOSFET功率管的,可采用自举的方式产生上桥臂驱动电压,兼容15V,5V和3.3V的逻辑信号,欠压时自动闭锁驱动信号。IR2101S的应用如图3-6所示。为了缩短关断时间,D2和D7用于关断瞬间为MOSFET门级电容提供低阻抗的泄放回路。D2和C3构成自举的电路,其中IR2101S第六脚VS连接到该相的相线上。当下桥臂开通的时候,第四脚和第六脚电压相等,12V的电压通过D3向C2充电;当下桥臂关断而需要上桥臂开通的时候,芯片通过C2获得所需要的门级电压。为了保证上桥臂可靠关断,就必须保证C2两端电压大于MOSFET的开启电压,这个时候就要下桥臂的占空比不能够太小,为了保证C2有足够时间充电。
图3.6MOSFET驱动电路
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