《掺杂计算--理论与实践》-精选课件(公开).pptVIP

為什么拉單晶需要摻雜劑（母合金）﹖ 影响掺杂的几个因素 母合金掺杂的计算方法 ■ 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M ■ M =W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数 掺杂的几个重要参数 ■ 单晶的型号（N还是P） ■ 拉制硅单晶的目标电阻率；以P型为例，一般要范围为0.5~3，选 择1.6~2.5的目标阻值基本不会跑阻，可根据实际情况和需要调整  ■ 原料的电阻率（要精确） ■ 母合金的杂质浓度 ■ 所掺杂质的分凝系数  單晶型號對摻雜的影響 按照單晶型號的不同﹐母合金主要有以下摻雜方式﹕ N型高阻﹕P型母合金摻雜量有兩部分﹐一部分用來補償N型﹐另一部分將補償后的單晶看稱高阻得到0.5~6Ω?cm單晶 P型高阻﹕摻入適量的B得到0.5~6Ω?cm的單晶 P型低阻（小于0.5 Ω?cm）﹕摻入適當的N型母合金 說明﹕ 通常第一和第二種摻雜方式較常見﹐結合理論計算和實際經驗﹐可以得到要求的阻值的單晶 對于第三種情形﹐摻入N型母合金后﹐晶體后段會發生轉型﹐摻入量不合適的話會嚴重影響成品率 目前﹐我們對第三種摻雜方式積累了一定的經驗﹐以下是得到的晶棒的測試結果 目标电阻率對拉制單晶的影響 電阻率與雜質濃度之間的關系 不同電阻率對應的雜質濃度 摻硼母合金例一 摻硼母合金例二（多種料源） 針對新進多晶硅原料的硼母合金摻雜方式 關于5N左右硅料的屬性 根據B﹑P含量進行選料的原則 *Golden Silicon Technology Inc. Presenter: CONFIDENTIAL Quality Assurance Golden Silicon Technology Inc. Time to Market Time to Volume Time to Money M MODULE M MOVE S SERVICE Confidential Your Best Partner for Solar Silicon Manufacturing Service C COMPONENT 什么是拉單晶摻雜劑- - 母合金﹖ 所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的-2次方和10的-3次方 ■ 采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确 ■ 掺杂的目的主要是用来改变硅熔体中施主杂质（如磷）或受主杂质（如 硼）的杂质浓度，使其生长出的单晶电阻率达到规定的要 ■ 硅单晶N型掺杂剂：五族元素，主要有磷、砷、锑 ■ 硅单晶P型掺杂剂：三族元素，主要有硼、铝、镓 ■ 拉制电阻率低的硅单晶，一般用纯元素作掺杂剂 ■ 拉制电阻率高的硅单晶则采用母合金作为掺杂剂 ■ 杂质的蒸发﹕无论液体或熔体在合适的温度下，溶剂和溶质总是要蒸发，特别是在真空下尤为显著，因此蒸发必定影响溶质在溶液的分布和溶液的杂质浓度，具体的公式非常复杂，我们需要知道的是杂质蒸发同蒸发表面积、杂质的蒸发速度常数、蒸发的时间几个要素有关。 ■ 杂质的分凝效应﹕熔体的各部分的杂质浓度相同，若进行极其缓慢的所谓平衡冷却，这样固液两相内部杂质原子会通过扩散调整它们之间的浓度，实际上熔体不可能实现平衡冷却，总有一定的冷却速度，由于固相中杂质原子扩散速度很小，浓度调整缓慢，先凝固的与后凝固的固相杂质浓度不同，因此晶体中各处杂质浓度不再均匀分布，这种由于杂质偏析引起的分凝现象叫分凝效应。不同的杂质在熔硅中分凝系数是不同的，熔体结晶时杂质分凝效应使单晶中杂质分布不匀这是它的不利方面，但另一方面可利用杂质的分凝效应使杂质集中在单晶的头部或尾部，达到提纯的目的。 ■ 拉制单晶过程中硼的滲入﹕由于石英坩埚的纯度远远小于多晶硅的纯度，在硅单晶拉制过程中石英坩埚P型杂质（主要是硼）不断溶入熔硅，改变熔硅的杂质浓度。 對于P型，一般要范围为0.5~3 Ω?cm ，那么﹐目標電阻率選擇什么 范圍合適呢﹖ 0.7 6 6 3.85 6 6 0.65 5.5 5.5 3.53 5.5 5.5 0.6 5 5 3.22 5 5 0.54 4.5 4.5 2.9 4.5 4.5 0.49 4　 4 2.59 　4 4 0.44 3.5 3.5 2.27 3.5 3.5 0.38 3 3 1.96 3 3 0.33 2.5 2.5 1.64 2.5 2.5 0.27 2 2 1.32 2 2 0.21 1.5 1.5 1 1.5 1.5 0.16 1 1 0.67 1 1 為部電阻率（Ω?cm） 頭部電阻率（Ω?cm）