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L-Edit画与门和或门简明教程 西安电子科技大学上机教程 2013.12.11 小韩 基本操作步骤： （1）打开此程序（2）另存新文件：选择 File→Save As（3）取代设定：选择 File→Replace Setup命令，单击右侧的Browser，选择F:\EDA实践\Ledit90\Semples\spr\example1\light.tdb文件，然后点击ok，会出现警告，按确定钮。 （4）绘制N Well图层：横向34格，纵向19格 绘制图层信息在窗口左下角显示（有图层类型，宽度，长度，坐标等） 绘图完成后，通过alt+鼠标左键或者直接用鼠标滚轮来调整图层大小和位置。Ctrl+鼠标滚轮来调整窗口大小。home键将图层放置到整个绘图窗口中心位置。 （5）绘制Active图层：横向22格，纵向9格 （6）绘制P Select图层：横向28格，纵向14格 （7）绘制Poly 图层：据横向2 格，纵向14格 完成后进行DRC检查，单击工具栏按钮，或者Tools→DRC，在检查完毕后会出现DRC检查结果，No DRC errors found 说明没有设计规则错误 如果有错误，选中 Display DRC Error Navigator 复选框，点击OK，会出现错误提示窗口，展开错误标记。 双击Error3,在版图中出现错误提示，这时可以通过alt+鼠标左键来调整图形大小位置来消除DRC错误，最后点击DRC图标，反复修改，直到错误消除，这时绘图窗口将会恢复之前的状态。 （8）绘制Active Contact 图层：横纵2格，然后DRC检查 （9）绘制Metal1 图层：纵横4格，DRC检查（最好每步完成后都马上进行DRC检查，注意，在此之后将不再提示DRC检查，但每步之后最好检查） 其中重复的一些操作可以通过复制来完成，该操作通过Ground 来完成。鼠标拖动选中要复制图形，选择 Draw→Ground（或直接Ctrl+G），完成后所选中区域将会变成一个整体，可以对组件进项复制、移动操作。一个组件不能对其中的单元操作，要调整组件中单元大小位置，可通过选中图形，选择Draw→Unground（或直接Ctrl+U）解除组件来完成。 （10）重新命名：将Cell0 的名称重新命名，可选择Cell—Rename 命令，打开Rename Cell对话框，将cell 名称改成nandpmos （11）新增NMOS 组件：选择Cell→New 命令，打开Create New Cell 对话框，在其中的New cell name 文本框中输入“nandnmos”，单击OK 按钮 （12）编辑与非门的NMOS 组件：依照PMOS 组件的编辑流程，建立出Active 图层、N Select 图层、Poly 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层。 其中，Active 宽为22个格点，高为9 个格点；Poly 宽为2 个格点，高为14 个格点：N Select宽为18 个格点，高为14个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。DRC检查 （13）设计导览：选择view 按钮，打开Design Navigator 窗口，可以看到Exl0 文件有nandnmos与nandpmos 两个cell （或直接点工具栏中的按钮），双击便可直接进入单元。 （14）编辑非门的PMOS 组件：新建cell，命名为norpmos，建立出N well图层、Active 图层、P Select 图层、Poly 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层。 其中，N well 宽为24个格点，高为19个格点；Active 宽为14个格点，高为9 个格点：Poly 宽为2 个格点，高为14 个格点：P Select宽为18 个格点，高为14个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。DRC检查 (15) 编辑非门的NMOS 组件：新建cell，命名为nornmos，建立出Active 图层、N Select 图层、Poly 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层 其中，Active 宽为14个格点，高为5 个格点；Poly 宽为2 个格点，高为9 个格点：N Select宽为18 个格点，高为9个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。DRC检查 （16）编辑PMOS 保护环（well tap）：新建cell，命名为guardpmos，建立出N well图层、Act