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分子束外延技术简介声明：本文件中引用的来自书籍、刊物及网页中的图片的一切权利归各自的权利人所有。 什么是分子束外延 真空技术介绍 分子束外延设备? 分子束外延工艺什么是分子束外延外延生长技术在半导体领域得到应用是在20世纪60年代。它指的是在一定条件下，使某种或某些种物质的原子（或分子）有规则排列、定向生长在经过仔细加工的晶体（一般称为衬底）表面上。它生长的材料是一种与衬底晶格结构有一定对应关系的单晶层。这个单晶层称为外延层，而把生长外延层的过程叫做外延生长。分子束外延（MBE）是外延生长技术中非常重要的一种。它是60年代末～70年代初在真空蒸发的基础上迅速发展起来的制备半导体超薄层材料和器件的技术。在超高真空条件下，构成晶体的各个组份和掺杂原子（分子）以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底表面上进行晶体的外延生长。在超高真空系统中，分子束源炉与被加热的衬底相对放置。将组成化合物中的各个元素和掺杂元素分别放入不同的源炉内。加热源炉使它们的分子（原子）以一定的热运动速度和一定的束流强度比例喷射到衬底表面上，与表面相互作用，进行单晶薄膜的外延生长。各源炉前的挡板用来改变外延层的组份和掺杂。根据设定的程序开关挡板、改变炉温和控制生长时间，就可以生长出不同厚度、不同组份、不同掺杂浓度的外延材料。 分子束外延原理示意图其特点是: 生长速度慢（～1?m/h），生长温度低，可随意改变外延