AgZnO肖特基二极管的制备和光电特性的研究.docVIP

学号：1003618073 河南大学 毕 业 论 文 （2014届） 年 级 2010级 专 业 班 级 电子信息科学与技术 学 生 姓 名 指导教师姓名 指导教师职称 论文完成时间 二○一四年印制 河南大学民生学院毕业论文开题报告（理工类） 题目：Ag/ZnO肖特基二极管的制备和光电特性的研究 课题来源 近些年来，新兴的宽禁带半导体材料的研究格外引人注目。宽禁带半导体材料具有很多突出特点。不仅热导率高而且击穿电压高。不仅介电常数低而且电子饱和速率大，这就保证了其较广泛的适用范围。以ZnO为例，伴随着数字传输以及移动通信信息传输量的增加，ZnO材料的高频特性逐渐崭露头角显示其优势。因此，ZnO薄膜在高频滤波器、谐振器等领域的发展前景非常广泛。本文综述了Ag/ZnO肖特基二极管的制备及电学特性。 设计目的和意义 研究目的： 通过磁控溅射沉积系统制备出Ag/ZnO肖特基二极管成品 验证Ag/ZnO肖特基二极管的电学特性 研究意义： 通过实验熟