3D NAND 闪存技术的演进趋势与挑战.pdfVIP

中国科学信息科学年第卷第期

《中国科学》创刊周年专刊论文

闪存技术的演进趋势与挑战

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霍宗亮夏志良陈南翔

长江存储控股股份有限公司,武汉430070

*通信作者.E-mail:zonglianghuo@

收稿日期:2025–10–31;修回日期:2025–11–24;接受日期:2025–11–25;网络出版日期:2025–12–15

摘要二维闪存技术自问世以来经历了三十余年的迭代发展制程尺寸持续微缩存储

单元间的串扰问题日益严重产品可靠性面临严峻挑战为突破二维闪存的物理微缩极限三维闪存

技术应运而生开启了闪存发展的全新纪元该技术通过从平面结构向三维结构

的转变实现了存储密度的革命性提升使制造工艺从以光刻为主导的平面缩微技术转向以刻蚀为

核心的三维集成技术随着人工智能与大数据时代的到来闪存技术在存储密度、容量、成

本和可靠性等方面面临新的要求与挑战在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下长江存储开发了

以晶栈为代表的创新架构逐步突破并引领全球闪存技术的创新性发展本文

重点梳理晶