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- 2019-11-24 发布于广东
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第四章 图像的成像、显示和记录 摄像器件分类: 内光电导效应型 外光电效应型 光电像管 Iconoscope 超光电像管 super Iconoscope 正析像管Orthicon 超正析像管 super Orthicon 视像管 Vidcon 氧化铅管 Plumbicon 硒砷锑管Saticon 硅靶管 电子管 固体摄像器件 MOS摄像器件 CCD摄像器件 (吸收光发出 自由电子) 入射光 光电面 二次电子 倍增器 信号出 析像管原理 光电子 (电阻率随光 量变化) RL +E 像素等效电路 C 信号出 电子枪 入射光 光导管原理 信号出 光导靶 电子束 直径( 英寸):3,1.5,1,2/3,1/2。 超正析像管:惰性小噪声大。 视像管:电场和长磁场聚焦; 网电极保证电子束垂直上靶。 固体摄像器件:无须扫描和 聚焦(按像素移位),光谱响应 宽,功耗低,可集成处理电路。 有电荷耦合 (CCD)和CMOS 摄像器件,它是发展方向。 信号出 视像管构造图 超正析像管 CCD摄像器件 光谱特性 SiO2 N-Si -V1 0V Al 电极 耗尽层 (a)势阱的形成 -V1* -V2 (c)少数载流子的转移 -V1 0V (b)少数载流子的捕获 光照 0V -V2 (d)转移完成 CCD 摄像器件的工作原理: 平面扫描 C C D 成像单元 C
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