变频技术原理与应用第2版演示文稿.pptxVIP

变频技术原理与应用(第二版) ;2;3;4;变频技术的类型表 ;6;7;8;9;;;;;16;;;19;;③采用直流电抗器的均流电路;23;;;;;;;;;;;; 压敏电阻的主要特性参数有：① 漏电流为1mA时的额定电压U1mA；② 放电电流达到规定值IY时的电压UY，其数值由残电压比UY/U1mA所决定；③ 允许的通流容量，即在规定波形下（冲击电流前沿8ms，波长20ms），允 许通过的浪涌峰值电流（kA）。;;39;41;2．GTO的参数; ton =td+tr ;44;1．判定GTO的电极;4．估测关断增益βoff;47;48;49;50;51; GTR上所施加的电压超过规定值时，就会发生击穿。击穿电压不仅和GTR本身特性有关，还和外部电路的接法有关。 ①BUcbo—发射极开路时，集电极和基极间的反向击穿电压。 ②BUceo—基极开路时，集电极和发射极之间的击穿电压。 ③BUcer和BUces—实际电路中，GTR的发射极和基极之间常接有电阻R， 这时用 BUcer表示集电极和发射极之间的击穿电压。 ④BUcex—发射结反向偏置时，集电极和发射极之间的击穿电压。 ;;（3）集电极最大耗散功率PCM;55;;2．基极驱动电路;(2) 光耦式比例驱动电路 ;3．集成模块化驱动电路;(2) 驱动芯片;62;RC缓冲