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【MOS场效应管的作用】 MOS场效应管的作用 首先，考察图所示的n沟道增强型MOSFET，这种器件的简单工作原理为：用栅极电压变量产生的电场控制源极和漏极间的电流传导。因为沟道电流是由漏-源电压和衬底电压决定的，所以电流可被看做是这些外部端点电压的函数。为了实现源极和漏极间的电流传导，必须先形成传导沟道。那么如何才能形成传导沟道呢？ n沟道增强型MOSFET的简单工作原理为：用栅极电压变量产生的电场控制源极和漏极间的电流传导。因为沟道电流是由漏-源电压和衬底电压决定的，所以电流可被看做是这些外部端点电压的函数。 为了实现源极和漏极间的电流传导，必须先形成传导沟道。 如何形成传导沟道？ MOS场效应管的作用 可应用于n沟道增强型MOSFET的最简单的偏置情况如图所示。源极、漏极和衬底都接地。 为了在栅极下面产生传导沟道，在栅极上加正的栅-源电压VGS（小）。在这种偏置条件下，源极和栅极扩散区之间的沟道区与简单MOS结构的特性几乎相同。 对于小的栅极电压，多数载流子（空穴）被排斥回衬底，并且p型衬底表面耗尽。由于表面禁止任何载流子运动，因此在源极和漏极间传导电流是不可能的。 可应用于n沟道增强型MOSFET的最简单的偏置情况如图所示。源极、漏极和衬底都接地。为了在栅极下面产生传导沟道，在栅极上加正的栅-源电压VGS。在这种偏置条件下，源极和栅极扩散区之间的沟道区与简单MOS结构的特性几乎相同。对于小的栅极电压，多数载流子（空穴）被排斥回衬底，并且p型衬底表面耗尽。由于表面禁止任何载流子运动，因此在源极和漏极间传导电流是不可能的。 现在，假设栅-源电压进一步增加，只要沟道区表面电势达到-ϕFp，表面就会反型，漏极和源极扩散区之间将产生导电的n型层。该沟道在两个n+区之间形成电气连接。一旦源极和漏极端点之间存在电势差，该沟道就允许电流传导。表面形成反型和传导沟道的偏置条件对MOSFET的作用非常重要。用于产生表面反型层（为产生传导沟道）的栅-源电压值VGS称为阈值电压VT0。 MOS场效应管的作用 当栅-源电压进一步增加，只要沟道区表面电势达到-ϕFp，表面就会反型，漏极和源极扩散区之间将产生导电的n型层。 本体 表面 n型 p型 任何小于VT0的栅-源电压都不能产生反型层；因而，只有当VGSVT0时，MOSFET才能在源极和漏极之间传导电流。另一方面，由于栅-源电压大于阈值电压，因此使少数载流子（电子）被吸引到表面，最终产生沟道传导电流。 任何小于VT0的栅-源电压都不能产生反型层；因而，只有当VGSVT0时，MOSFET才能在源极和漏极之间传导电流。另一方面，由于栅-源电压大于阈值电压，因此使少数载流子（电子）被吸引到表面，最终产生沟道传导电流。注意，把栅-源电压增大到超过阈值电压不会影响表面电势和耗尽型深度。两者的数量仍保持近似常数并且等于它们在产生表面反型时的值。 用于产生表面反型层（为产生传导沟道）的栅-源电压值VGS称为阈值电压VT0 。