半导体工艺原理硅外延制备工艺2013325贵州大学.pptxVIP

硅外延制备工艺;单晶半导体材料;硅外延生长;外延的分类;2、按器件位置分类 正外延：器件制作在外延层上 反外延：器件制作在衬底上，外延层只起支撑作用 3、按外延生长方法分类 直接外延：是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得足够能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长的方法，如真空淀积、溅射、升华等。但此类方法对设备要求苛刻。薄膜的电阻率、厚度的重复性差，因此一直未能用于硅外延生产中。; 间接外延：是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层，广义上称为化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD))。但CVD所生长的薄膜不一定是单晶，因此严格地讲只有生长的薄膜是单晶的CVD才是外延生长。这种方法设备简单，外延层的各种参数较容易控制，重复性好。目前硅外延生长主要是利用这种方法。 ;4、按向衬底输运外延材料的原子的方法不同又分为真空外延、气相外延、液相外延等。 5、按相变过程，外延又可分为气相外延、液相外延、固相外延。 对于硅外延，应用最广泛的是气相外延。;外延的作用; 硅外延生长技术开始的时候，正是硅高频大功率晶体管制做遇到困难的时刻。 从晶体管原理来看，要获得高频大功率，必须做到集电极击穿电压要高，串联电阻要小，即饱和压降要小。前者要求集电极区材料电阻率要高，而后者要求集电区材料电阻率要低，两者互相矛盾