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数字电子技术门电路.pptxVIP

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数字电子技术(第三版)尚鸿雁 制作电力电子教研室分立元件门电路门电路双极型集成门(DTL,TTL)集成门电路MOS集成门第2章 门电路1、逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路,简称门电路。集成逻辑门中广泛使用的开关器件是:晶体管 场效应管2、基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。Vcc01高电平高电平RVoViK低电平低电平10负逻辑体制正逻辑体制3、逻辑1和0 : 电子电路中用高、低电平来表示。高电平和低电平为某规定范围的电位值,而非一固定值。例如2.4V~5V范围内的电压,称为高电压;0V~0.8V范围内的电压为低电压。4、获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。第2章 门电路学习要点掌握各种TTL门电路和CMOS门电路的逻辑功能。理解TTL门电路的主要参数及TTL电路与CMOS电路的主要差异。了解二极管、双极型晶体管和MOS管的开关特性,了解门电路的使用常识,集电极开路门、三态门、传输门等电路及功能。第2章 门电路 2.1半导体元件的开关特性2.2分立元件门电路2.3 TTL集成门电路 2.4 CMOS集成门电路2.1半导体元件的开关特性2.1.1 二极管的开关特性+ uD  -二极管符号:负极正极理想情况:外加正向电压导通,外加反向电压截止。相当于开关。Ui0.5V时,二极管截止,iD=0。Ui0.5V时,二极管导通。uououi=5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,uo=4.3V。ui=0V时,二极管截止,如同开关断开,uo=0V。二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。2.1.2 晶体管的开关特性CBE+VCC+VCCRcRcRbRbbcbc++++++0.3V0.7V------ee放饱和区大区截止区饱和状态截止状态iB≥IBSui=UIL0.5Vuo=+VCCuo=0.3Vui=UIH+VDDRDDuo栅极漏极GuiS源极+VDD+VDDRDRDGGDDSS2.1.3 MOS管的开关特性可变电阻区恒流开启电压区转移特性曲线输出特性曲线截止区截止状态导通状态uo=+VDuo≈0uiUTuiUT2.2分立元件门电路2.2.1二极管与门Y=AB2.2.2二极管或门Y=A+B 三极管非门2.2.3晶体管非门(反相器)三极管临界饱和时的基极电流为:iB>IBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uY=UCES=0.3V。①uA=0V时,三极管截止,iB=0,iC=0,输出电压uY=VCC=5V②uA=5V时,三极管导通。基极电流为: MOS三极管非门①当uA=0V时,由于uGS=uA=0V,小于开启电压UT,所以MOS管截止。输出电压为uY=VDD=10V。②当uA=10V时,由于uGS=uA=10V,大于开启电压UT,所以MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小,只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。2.3 TTL集成门电路 TTL(Transistor- Transistor Logic)集成门电路,输入级和输出级都采用半导体三极管,也叫晶体管-晶体管逻辑电路。2.3.1 TTL反相器1. 输入级 由T1、R1、D1 组成,D1是保护二极管;2.中间级 由T2、R2、R3 组成,T2集电极输出驱动T3,发射极输出驱动T4;3.输出级 由T3 、T4 、D和 R4组成。工作原理(1)u1 = UIL = 0V时,T1基极电流iB1流入发射极,因此iB2=0,T2截止,T4也截止。T3和D将导通,uO = UOH = 3.6V。导通电位升高0.7V0.7V导通截止iC1=iB2≈0截止2)u1 = UIH = 3.6V时,T1倒置,iB1流入T2基极, T2饱和导通,T4饱和导通,T3和D将截止,uO = UOL ≤ 0.3V。iB3≈0电位很低截止2.1V截止电位很低饱和导通1.4V饱和导通静态特性(一)输入特性1.输入伏安特性 输入电流和输入电压关系曲线,简称输入伏安特性。(1)uI = UIL = 0V, iI = IIS =-iB 1 =-1.075mA IIS:输入端短路电流,即输入端对地短路时, 从反相器流出来的电流。(2)uI = UIH = 3 .6V, iI = IIH =βI iB1 = 0.0145mA IIH:输入端漏电流,输入端加高电平时,流入反相器输入端的电流。0.7V0.7V0.7V(3) uI在低电平和高电平之间时,由于电路工作情况复杂,不作分析。2.输入端负载特性 输入端电阻Ri两端的电压uI和电阻值RI之间的关系,简称输入端负载特性。信号源的内阻 (1)开门电阻Ron当Ri= ∞,输入端悬空,iB1流入T2基极,T2饱和导通,T4饱和导

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