大规模集成电路总剂量效应测试方法初探.pdf

大规模集成电路总剂量效应测试方法初探 1,2 贺朝会 ，耿斌，何宝平，姚育娟，李永宏，彭宏论，林东生，周辉，陈雨生 1 西安交通大学 西安市咸宁西路 28 号 710049 2 西北核技术研究所 西安 69 信箱 13 分箱 710024 hechaohui@ 中文摘要：提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能 参数的同时，监测器件功耗电流的变化情况，分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其 总剂量效应机理。给出了大规模集成电路：静态随机存取存储器 （SRAM）、电擦除电编程只 读存储器（EEPROM）、闪速存储器（FLASH ROM）和微处理器（CPU）的 Co-60 γ 总剂量效 应实验的结果。 关键词：测试方法，总剂量效应，大规模集成电路 1 引言 随着半导体器件集成度的不断提高，大规模集成电路越来越多地应用在航天器上。空 间辐射环境中的带电粒子和电子在集成电路中产生的电离总剂量效应，严重影响航天器的 可靠性及在轨寿命。