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氧化物薄膜晶体管 —氧化锌锡（ZnSnO) 姓名：lys 专业： 凝聚态物理 引言 用氧化物制作薄膜晶体管近年来备受关注， 它们有着高的迁移率和透过率。 ♦传统的非晶硅迁移率较低， 光敏性强。 ♦多晶硅薄膜晶体管工艺复杂。 ♦有机薄膜晶体管又难以克服低寿命， 低迁移率的弱点。 本实验采用磁控溅射法生长氧化锌锡的合金薄膜来作为有源层， 用 SiO2 作为栅绝缘薄膜，研制了薄膜晶体管， 我们从工业化生产 TFT 的要求出发， 采用 ITO 玻璃基片和低温退火工艺， 得到了高场效应迁移率的 ZnSnO- TFT. ♦样品制备 我们采用底栅式TFT工艺 ♦样品制备 底栅式分为4个步骤： ♦ 光刻ITO栅电极 ♦ 光刻氧化硅绝缘层 ♦ 光刻有缘层 ♦ 剥离In2O3电极 ♦分析测试 沟道层薄膜材料物理特性表征 测试方法有多种：我们采用了5种方法来对样品进行表征 ♦ 扫描电镜测试（SEM） ♦ X射线衍射（XRD) ♦ 光致发光谱（PL) ♦ ZnSnO电学特性测试 ♦ 有缘层I-V特性曲线测试 ♦分析测试 扫描电子显微镜（SEM）原理 扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的人射