本征半导体和杂质半导体.pptVIP

影响σ的两大因素 外加电场作用下，沿电流方向分布的载流子密度 载流子密度就是单位体积内的载流子数目，相同的电场下，载流子密度越大，电流越大，导电率也就越大 载流子的迁移率 不同的载流子、同样载流子在不同条件下均是不同的 σ与载流子浓度和迁移率之积成正比 对掺杂浓度一定的半导体，当外加电场恒定时，平均漂移速度应不变，相应的电流密度也恒定；电场增加，电流密度和平均漂移速度也相应增大。即平均漂移速度与电场强度成正比例 迁移率，表征单位场强下电子平均漂移速度，单位为m2/V·s或 cm2/V·s， 迁移率一般取正值 §4.1 本征半导体与杂质半导体 载流子 —— 激发到导带中的电子和价带中的空穴 一、本征半导体 理想的半导体材料 —没有杂质、没有缺陷、严格周期排列 n=p 问题：n=p是否就一定是本征半导体？ No —— 对纯的半导体材料掺入适当的杂质，可以提供载流子 —— 除了与能带对应的电子共有化状态以外，还有一些 电子被杂质或者缺陷原子所束缚 二、杂质半导体 室温硅的本征载流子浓度约为1.5×l016米-3。 如果磷含量为百万分之一，即磷原子浓度约为1022米-3数量级，由于室温大约每个磷原子均可提供一个导带电子，掺杂使载流子浓度增加近十万倍。 实际的半导体 —— 束缚电子具有确定的能级，杂质能级位于带隙中接近 导带的位置