汪鹏飞-硅微条探测器的研制与辐射损伤研究.docVIP

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2019-12-23 发布于湖北
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汪鹏飞-硅微条探测器的研制与辐射损伤研究.doc

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总结 1. 研制的双面硅微条探测器芯片，巧妙地设计了刚柔板结构，通过划片、邦定等步骤，完成了探测器的封装。 2. 结合以ASIC为核心的前端电子学系统，成功搭建出CSR外靶硅微条探测器阵列，能量分辨达到1%，满足实验要求。 3. 硅微条探测的辐射损伤会引起探测器性能变差，包括漏电流增大、结电容增大、全耗尽电压增大，能量分辨率变差。 4. NIEL是衡量探测器辐射损伤的重要指标。通过NIEL 模拟可知，对于相同通量高能重离子入射，其辐射损伤程度远远大于高能质子入射。总NIEL达到 1.52×108 MeV cm2/g，探测器辐射损伤明显。 2015/8/21 国家核安保技术中心汪鹏飞 46 展望 1. 研制出其他指标的探测器。 2. 申请加速器束流，刻度出探测器性能随辐射量（NIEL的变化曲线，为数据分析与处理作参考 3. 改进工艺，采取抗辐照加固措施，同能辐射情况下，降低其损伤程度 2015/8/21 国家核安保技术中心汪鹏飞 47 8/21/2015 国家核安保技术中心汪鹏飞 48