13 第三章 3.4-3.5等效电路与缓变基区.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * § 3.4、 § 3.5 双极型晶体管模型 缓变基区晶体管 一 缓变基区晶体管 这个电场沿着杂质浓度增加的方向，有助于电子在大部分基区范围内输运．这时电子通过扩散和漂移越过基区薄层，致使输运因子增加。 实际晶体管杂质分布是不均匀的，缓变的发射区掺杂对晶体管性能的影响很小，将予以忽略。基区的缓变杂质分布要引入一个自建电场： P型半导体 N型半导体 ？ 杂质分布 x 爱因斯坦关系式 对大多数平面晶体管，基区复合可以忽略，则上式 In 是常数。 对于正向有源模式（ np0(xB)=0 ），基区电子分布为： 总的杂质原子数，称为根梅尔数。 xB 代替np0(0) 为了计算基区输运因子，把整个基区复合电流取为： 根据基区输运因子的定义： 任意基区杂质分布的基区输运因子的一般表示式 均匀基区 晶体管的反向电流主要有：ICBO 、 IEBO 、 ICEO。反向电流对晶体管放大作用没有贡献，它消耗了一部分电源的能量，甚至影响晶体管工作的稳定性，因此反向电流要尽可能的小。 二 晶体管的反向电流 1、集电极反向电流（发射极开路） 其反向电流由三部分组成： 1、反向扩散电流 IR 2、空间电荷区的产生电流 Irg 3、表面漏电流 Is ICBO (IE=0) IEBO 2、发射结反向电流（集电极开路） Ge-晶体管， IEB