半导体集矩形介质波导及外延生长.pptVIP

§3.3 矩形介质波导 矩形介质波导在二维上都存在折射率波导效应 有效折射率法→变为一维有效折射率波导 令 得 由于有效n的引入，使二维介质波导具有 和平板介质波导形式上相同的波动方程 ∴ 中心区的 两侧区的 →侧向波导效应的形成 场渗透深度 半导体材料的外延生长 外延生长：指生长材料与衬底具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的生长过程。 1. 液相外延(LPE) 原理： （1963年内尔逊提出） 液相外延是指在某种饱和或过饱和溶液中在单晶衬底上定向生长单晶薄膜的方法 装置：滑动舟法的生长系统装置 过程： 高温→溶剂溶解→低温→过饱和 →衬底上生长出单晶层（组分由相图决定） 优点： ①装置简单可靠 ②易于生长纯度很高的单晶层 ③外延层晶体结构的完整性较好，位错及微 缺陷密度都低 ④掺杂剂的选择范围大 ⑤生长速度较快 ⑥外延层的组分和厚度可精确控制 缺点： ①晶格常数与衬底失配 10%以上的生长困难 ②层厚 0.06μm，生长难以控制 2. 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 1968年提出，80年代迅速发展，生长量子阱和超晶格、制备薄层材料有优越性。 原理：采用Ⅲ、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ、 Ⅳ族元素的氢化物为原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长半导体单晶 装置： ①Ⅲ、Ⅱ 族金属有机化合物 TMGa : 三甲基镓 TEIn : 三乙基锢 ②Ⅴ、Ⅳ族元素的氢化物 金属有机化合物以氢作载体与V、PI族元素氢化物混合，流经加热衬底表面时，发生分解反应，外延生成化合物薄膜 优点： ①通过精确控制气流量来控制外延层组分、厚度、导电类型 ②可以生长几 ，十几 的薄层，满足结构需要 ③工艺简单，可获大面积、厚度、组分均匀的外延片 ④可生长在固相互不溶的亚稳态合金 3. 分子束外延 70年代真空蒸发基础上发展的技术 原理：热分子束或原子束喷射到衬底表面形成单晶。 优点： ①主体原子和掺杂物质扩散效应小，获得十分陡的掺杂分布，原子内平整的外延层面 ②生长速率低 ，厚度控制到单原子层 ③控制快门开、关来改变组分掺杂。 装置： 材料 衬底 制备 外延 生长 外延 材料 测试 积淀 光刻、 腐蚀 LD的制造工艺 缺陷小 磨抛 清洗 监制 与材料晶格匹配， 适当掺杂 平整、光亮 核心工艺 有LPE、MOCVD 用此膜在扩散 时起掩蔽作用 腐蚀分湿法(化学) 和干法腐蚀(等离子、 反应离子刻蚀) 清洗 二次 外延生长 P型电 极制备 衬底机械 化学减薄 n型电 极制备 切割解理 成管芯 光刻蒸金属层合金，电极制作又 称欧姆接触。影响功率、热状态、 器件可靠性、寿命 用金刚石刀在解理面 方向切压成F-P腔 单管芯 测试 焊接 压焊 封装 耦合 老化 超声键合 电、气、热、力结合测试