半导体光电子学异质结及其能带图.pptVIP

第二章 异质结 ①异质结:两种禁带宽度不同的半导体材料，通过一定的生长方法所形成的结。 突变结 按电荷分布 ② 分 缓变结 类 同型异质结 p-P,n-N 按掺杂类型 异型异质结 p-N,n-P §2 – 1 异质结及其能带图 ③ 能带图 界面上静电场是不连续的；功函数Φ；电子亲和势X ④ p-n结 p- n: n型和p型样占接触在一起p- n结。 n区电子向p区扩散→n区剩下电离施主，形成带正电荷区。 p区孔穴向n区扩散→p区剩下电离受主，形成带负电荷区。 加正向偏压 时，外加电场与内建电场方向相反，空间电荷相应减少，势垒区宽度减少，扩散运动超过了漂移运动 ， 载流子扩散运动超过了漂移运动→成为正向电流。 →n 区电子进入p区成为p区非平衡少数载流子。 →非平衡少数载流子的电注入。 扩散过程中与多子相遇而不断复合→一个扩散长度后复合完毕。 由电子型半导体中电离施主和空穴型半导体受主组成。 一.pN异型异质结 二.突变同型异质结 nN , pP 1.同型异质结由多数载流子相互扩散形成空间电荷区 2.同型异质结性质由多数载流子决定 3.同型异质结材料费米能级有差别 → 扩散 4. Eg: X: Φ: F: 不同， 能带不同 三.缓变异质结 1.能带不连续性小时，尖峰、尖谷淡化 2.在外加电场作用下，缓变结与突变结有相同的性质， 、 和 有一定的关系