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1.4.太阳能电池的简介 二、半导体车间的基本知识 2.1.技术人员应该注意的问题 职责 对设计文件进行工艺审查并对审查质量负责； 按设计文件的要求和有关标准编写工艺文件，并对其适用性负责； 熟悉工艺规范要求及有关设备操作方法； 负责分析并处理有关工艺质量问题。 填写工艺记录要求 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、真实、完整、书写工整、数据准确。 工艺记录应包括基本内容 工艺记录一般包括工艺台帐和工艺串联本（工艺卡），不同器件、不同工序对工艺记录的具体内容会有不同要求，但都应包括以下基本内容：接片时间、接片数量、接片时的质量检查（互检）、本工艺内容、工艺条件、工艺结果（质量自检）、交片数量、交片时间、操作员签字、若工艺中出现异常情况应登记在备注栏。关键工序要有专检员签字。 2.2.半导体生产环境及其影响因素 生产中的污染 化学药剂不纯、气体纯化不良、去离子质量引起的污染。 尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾都是重要的污染。 电子工业洁净度等级试行规定 按器件产品种类和要求所采用的洁净标准 洁净区工作人员注意事项 合适的生产环境可以提高产品的性能水平，成品率，可靠性质量和生产效率。 进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。 进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能入内。 每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。 与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 严禁在净化区做会造成粉末的活，工作中少走动。 进入净化区的设备、试剂、气瓶等所有物品都要经严格清洁处理后才可进入。 每天上班先清扫、擦洗设备，下班前清理好工作现场。 三.丝网印刷电池简介： 3.1.丝网印刷电池结构 3.2.丝网印刷电池工艺 四.电池工艺简介 4.1.来料检验 电学参数 化学纯度 晶体学参数 几何尺寸 4.1.1.电学参数 电阻率 导电类型 载流子浓度 迁移率 少数载流子寿命 电阻率均匀性 电阻率 P型半导体 当半导体中掺有受主杂质硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）时，主要靠受主提供空穴导电，这种依靠空穴导电的半导体叫做P型半导体。 少子寿命及其测量方法 少子：当半导体掺杂后，其导电必定是以一种载流子为主（电子或空穴）。载流子注入后，产生非平衡载流子与导电类型相反的载流子叫少子，实际上往往是非平衡少数载流子起着重要的作用。 少子寿命：通过光注入实验发现，光照停止后，少子并不是立即消失，而是按指数规律减少，即他们在导带和价带中有一定的生存时间，有的长些，有的短些。这叫少子寿命，一般用τ表示。 少子寿命的测试：少子寿命的测量方法有表面光电压法（SPV）、微波光电导衰减法（μ-PCD）、高频光电导衰减法（PCD）、直流光电导衰减法、准稳态光电导衰减法、微波反射光电导衰减法等，通过这些原理制备的仪器称为少子寿命测试仪。 4.1.2.化学纯度 化学纯度是指材料的本底纯度。碳、氧及其它杂质含量，一般用二次离子质谱(SIMS)测试。 4.1.3.晶体学参数：晶体学参数有晶向、位错密度。 晶面和晶向 晶面 4.2.硅片清洗 4.2.1.绒面的研究概述 有效的绒面结构有助于提高太阳能电池性能，主要体现在短路电流（ISC）的提高。 单晶硅绒面 4.2.2.清洗基本知识 硅片表面污染 有机物沾污：包括切、磨、抛工艺中的润滑油脂；石蜡、松香等粘合剂；手指分泌的油脂及光刻胶、有机溶剂的残留物等。 金属离子、氧化物及其他无机物质：包括腐蚀液中重金属杂质离子的残留；各种磨料中的氧化物或金属离子；使用的容器、镊子、水中金属离子的沾污；各种气体、人体汗液等引入的杂质离子。 其他可溶性杂质。 水质 纯水质量对半导体芯片的性能、质量、成品率有极大的影响。 超纯水水质指标的变化 4.2.4.清洗工艺所发生的化学反应： 4.3.2.生产线的一些资料 4.3.2.1.基本概念 扩散工艺：在高温下，使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，以改变晶片内部的杂质分布和表面层的导电类型，这一工艺统称扩散工艺。 恒定表面源扩散：恒定表面源扩散是指在扩散过程中晶片表面的杂质浓度始终不变。随时间改变的只有结深和进入硅衬底的杂质总量。 扩散杂质源：用扩散法制作PN结时所用的掺杂材料，称为扩散杂质源。必须具有下述特点是受主杂质或施主杂质、具有较低的扩散温度、具有适中的扩散速度、具有很高的纯度、不能和半导体发生化学反应。 闭管扩散：将半导体晶片和杂质源放在真空密闭的石英管中所进行的扩散，称为闭管扩散。反之叫开管扩散。 液态源扩散：采用室温下为液态的杂质源进行的扩散工艺称之为液态源扩散。液态源扩散的工艺过程同开管携带气体扩散相似。如POCl3为源的磷扩散和以BBr3为源的硼扩散。 方