YS/T 26-2016硅片边缘轮廓检验方法.pdf

ICS77.040 H21 中华人民共和国有色金属行业标准 / — YST26 2016 代替 / — YST26 1992 硅片边缘轮廓检验方法 Testmethodsforedecontourofsiliconwafers g ㅤㅤㅤㅤ 2016-07-11发布 2017-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 / — YST26 2016 硅片边缘轮廓检验方法 1 范围 ( ) 。 本标准规定了硅片边缘轮廓 包含切口 的检验方法 ( ), 本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓 包含切口 砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参 照本标准执行。 2 规范性引用文件 。 , 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , ( ) 。 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 / 半导体材料术语 GBT14264 3 术语和定义 / 界定的术语和定义适用于本文件。 GBT14264 ㅤㅤㅤㅤ 4 方法提要 、、 , : 本标准规定了方法 A BC三种测试方法 其测试原理分别如下 ) : , , a 方法 A 沿硅片径向划开形成剖面 借助光学比较仪或投影显微镜 形成一个硅片边缘区域的 , , 。 剖面聚焦图形 将图形与边缘轮廓模板坐标图比较 确定边缘轮廓是否合格 本方法是破坏性 , , , 的 限于圆周上离散点的检查 包括参考面 常用于直径不大于 150mm硅片参考面倒角边缘 轮廓的检测; ) : , , b 方法 B将硅片放置在平行光路下 硅片边缘投影到显示屏上 边缘轮廓的图像与边缘轮廓模 , 。