128Kbit(16K8)串行（I2C）F-RAM.PDF

FM24V01A 2 128 Kbit （16 K × 8）串行（I C ）F-RAM 2 256 Kbit （32 K × 8）串行（I C ）nvSRAM 特性 功能概述 ■ 128 Kbit 铁电随机存储器（F-RAM）被逻辑组织为16 K × 8 FM24V01A 是一个采用高级铁电工艺的 128 Kbit 非易失性存储 ❐ 高耐久性：100 万亿（1014）次的读/ 写操作 器。F-RAM 是非易失性的；与RAM 相同，它能够执行读和写操 ❐ 151 年的数据保留时间（请参考数据保留时间与耐久性表） 作。它提供151 年的可靠数据保留时间，同时解决了由EEPROM 和其他非易失性存储器所造成的复杂性、开销和系统级可靠性等 ❐ NoDelay™ 写操作 问题。 ❐ 可靠性较高的高级铁电工艺 2 与EEPROM 不同，FM24V01A 以总线速度执行写操作。并不会 ■ 快速的双线串行接口（I C ） 产生写延迟。在每个字节成功传输到设备后，数据立即被写入到 ❐ 最大频率为3.4 MHz 存储器阵列。这时，可以开始执行下一个总线周期而不需要数据 ❐ 可以直接替代串行EEPROM 的硬件 轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的 ❐ 支持在100 kHz 和400 kHz 频率时的旧版计时器 擦写次数。在写操作期间，F-RAM 的功耗也远远低于EEPROM， ■ 器件ID 因为写电路不需要高电源电压。FM24V01A 能够支持1014 读/ 写 ❐ 制造商ID 和产品ID 周期，或支持比EEPROM 多1 亿次的写周期。 由于具有这些特性，因此FM24V01A适用于需要频繁或快速写入 ■ 低功耗 的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周 ❐ 当频率为100 kHz 时，活动电流为175 mA 期数量是非常重要的）到满足工业控制（其中EEPROM 的较长 ❐ 待机电流为150 mA