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4.3 MOSFET的基本直流特性 第四章 本节内容 MOSFET 理想长沟MOSFET基本的电流电压关系的推导： 萨之唐（C.T.Sah ）方程，简称萨方程 （MOS1模型） 饱和区电流~ 电压关系 4.3 MOSFET 非饱和区电流~ 电压关系的精确解 的基本直流特性 （MOS2模型和MOS3模型） 沟道长度调制效应 2002.5 半导体器件4.3 1 2002.5 半导体器件4.3 2 4.3.1 萨方程 4.3.1 萨方程 MOSFET 的核心区域是栅下的沟道区。沟道载流 子的运动受横向电场作用的同时又受纵向电场的 控制而形成电流，因此至少是一个二维问题。若 再考虑到沟道宽度方向的边缘效应以及复杂的杂 质分布，实际的MOSFET应该是一个三维问题。 分析MOSFET 的方法： 先把器件简化为一个理想化的一维问题进行解析 分析，使其逐步符合一个实际器件的物理条件， 从而导出更精确的解。 萨方程是萨之唐先生（C.T.Sah ）于1964 年提出的 描述MOSFET 的直流特性的一维解析模型。 2002.5 半导体器件4.3 3 2002.5 半导体器件4.3 4 4.3.1 萨方程 4.3.1 萨方程（基本假定） G S D 推导萨方程的前提：十个基本假定 + 0 + y 左图：推导萨方程的 1. 衬底均匀掺杂 N N 坐标系统 2. 长、宽沟器件（可以不考虑边缘效应） p-Si L ：沟道长度 3. 反型层内载流子迁移率等于常数 W ：沟道宽度 不考虑强场迁移率调制效应。实际上，由于各点 B x 电场不一样，迁移率并不等于常数。 z V(y ) ：以源端为参 考点的沟道电势 4. SiO2层电荷面密度QOX 等于常数 L 5. 忽略源、漏区体电阻及电极接触电阻上的电压降 S W D V(0)=0 6. 忽略源、漏PN结及场感应结的反偏漏电流 0 y 7. 强反型近似成立（即三个远大于，三个不变） G 8. 沟道导通时漂移电流远大于扩散电流 2002.5 半导体器件4.3 5 2002.5 半导体器件4.3 6 4.3.1 萨方程（基