2.二极管特性及分析.ppt

* 1.2 半导体二极管的 特性和主要参数 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 第1章 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode) 符号： A (anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 p N P型支持衬底 第1章 半导体二极管 1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN结的伏安方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数 当 T = 300（27?C）： UT = 26 mV 第1章 半导体二极管 二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) uD ? Uth iD 急剧上升 0 ? uD ? Uth UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U（BR) ? uD ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十?A (锗) uD U（BR） 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第1章 半导体二极管 硅(Si)管的伏安特性 锗(Ge)管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 iD / mA uD / V iD / mA uD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 第1章 半导体二极管 温度对二极管特性的影响 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C T升高时， UD(on)以 (2 ? 2.5) mV/ ?C下降 第1章 半导体二极管 1.2.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流（最大正向平均电流） 2. URM — 最高反向工作电压，为U(BR) / 2 3. IR — 反向电流（越小单向导电性越好） 4. fM — 最高工作频率（超过时单向导电性变差） iD uD U (BR) I F URM O 第1章 半导体二极管 影响工作频率的原因 — PN结的电容效应 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对PN结影响很小。 高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 第1章 半导体二极管 1.3 二极管电路的 分析方法 1.3.1 理想二极管及 二极管特性的折线近似 1.3.2 图解法和微变等效电路法 1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似 一、理想二极管 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止， iD= 0 U(BR)= ? 二、二极管的恒压降模型 uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) UD(on) 三、二极管的折线近似模型 uD iD UD(on) ?U ?I 斜率1/ rD rD UD(on) UD(on) [例1.3.1] 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 UO VDD IO R UO VDD IO R [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD= 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压降 UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) UO VDD IO R VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型 [例1.3.2]试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。 解：假设二极管断开 UP = 15 V UP UN 二极管导通 等效为 0.7 V 的恒压源 UO= VDD