第一章-模式识别常用半导体器件.pptVIP

（2）极间电容：场效应管的三个电极间存在着极间电容。 通常栅-源间极间电容Cgs和栅-漏间极间电容Cgd约为 1~3 pF，而漏-源间极间电容Cds约为 0.1~1 pF。 它们是影响高频性能的微变参数，应越小越好。 三、 极限参数 （1）最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 （2）击穿电压：漏源击穿电压U(BR)DS——管子进入恒流区后，使iD急剧上升的uDS值，超过此值，管子会烧坏。栅源击穿电压U(BR)GS——对于JFET，使栅极与沟道间PN结反向击穿的uGS值；对于MOSFET，使栅极与沟道之间的绝缘层击穿的uGS值。 （3）最大耗散功率PDM：uDS和iD的乘积，即PDM=uDSiD。PDM受管子最高温度的限制，当PDM确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。 1.4.4 场效应管和晶体管的比较 练习 1. P69 1.23，1.24 * 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 * 根据什么判断晶体管的工作状态？ * 学会晶体管工作状态的判断方法。 * 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 * 讲清为什么进入恒流区时iD几乎仅仅受控于uGS。 * 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 应用举例：直流电压源和交流电压源同时作用于二极管电路 作业：阅读1~23 3. 判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 1. P67 第三题 2. P66 1.3， 1.4，1.2 一、 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 二、主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 1.2.5 稳压二极管 例题1.2.2 已知UZ、IZmin、IZmax、RL，求限流电阻R IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 1.3 双极型晶体管 1.3.1 BJT的结构简介 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 1.3.3 BJT的特性曲线 1.3.4 BJT的主要参数 多子浓度高 很薄，且杂质浓度低 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 1.3.1 晶体管的结构和符号 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 1.3.2 晶体管电流放大作用 BJT内部载流子的运动（以NPN为例） 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1.3.3 晶体管共射特性曲线 一、 输入特性曲线 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 二、 输出特性曲线 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 ≤ Uon ≈0 VCC 放大 Uon βiB ≥ uBE 饱和 Uon ＜βiB uBE 晶体管的三个工作区域 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 1.3.4 晶体管主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性的影响 输入特性 输出特性 晶体三极管是电流控制元件，通过控制基极电流可以控制集电极电流。 要使三极管正常工作并有放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。 对于NPN管三个电极的电位关系是： UCUBUE； 对于PNP管三个电极的电位关系是：UCUBUE。 三极管的特性可用输入和输出特性曲线来表示，也可用特性参数来表示。主要的特性参数有：电流放