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(2）光刻的工艺过程 原图 曝光 显影 坚模 去胶 腐蚀 前烘 衬底加工 涂光刻胶 光刻掩膜版制备 1)原图和掩模版的制备 　　原图制备首先在透明或半透明的聚脂基板上，涂覆一层醋酸乙烯树脂系的红色可剥性薄膜，然后把所需的图形按一定比例放大几倍至几百倍，用绘图机刻制可剥性薄膜，把不需要部分的薄膜剥掉，制成原图。 掩膜版制备　 　　在半导体集成电路的光刻中，为了获得精确的掩膜版，需要先利用初缩照相机把原图缩小制成初缩版然后采用分步重复照相机将初缩版精缩，使图形进一步缩小，从而获得尺寸精确的照相底版。再把照相底版用接触复印法，将图形印制到涂有光刻胶的高纯度铬薄膜板上，经过腐蚀，即获得金属薄膜图形掩膜版。 2)涂覆光致抗蚀剂 　　光致抗蚀剂是光刻工艺的基础，它是一种对光敏感的高分子溶液。根据其光化学特点，可分为正性和负性两类。 　　凡能用显影液把感光部分溶除而得到和掩模版上挡光图形相同的抗蚀涂层的一类光致抗蚀剂，称为正性光致抗蚀剂，反之则为负性光致抗蚀剂。 　　在半导体工业中常用的光致抗蚀剂有：聚乙烯醇一肉桂酸脂泵(负性)、双迭氮系(负性)和酯-二迭氮系(正性)等。 3)曝光 　　曝光光源的波长应与光刻胶感光范围相适应，一般采用紫外光，其波长约0.4μm。 　　曝光方式常用的有接触式曝法，即将掩模版与涂有光致抗蚀剂的衬底表面紧密接触而进行曝光。另一种曝光方式是采用光学投影曝光，此时掩模版不与衬底表面直接接触。 　　 随着电子工业的发展，对精度要求更高的精细图形进行光刻时，其最细的线条宽度要求到1μm以下，紫外光已不能满足要求，需采用电子束、离子束或x射线等曝光新技术。电子束曝光可以刻出宽度为0.25μm的细线条。 4)腐蚀 　　不同的光刻材料需采用不同的腐蚀液。腐蚀的方法有多种，如化学腐蚀、电解腐蚀、离子腐蚀等，其中常用的是化学腐蚀法。即采用化学溶液对带有光致抗蚀剂层的衬底表面进行腐蚀。 5)去胶 　　为去除腐蚀后残留在衬底表面的抗蚀胶膜，可采用氧化去胶法，即使用强氧化剂(如硫酸-过氧化氢混合液等)，将胶膜氧化破坏而去除。也可采用丙酮，甲苯等有机溶剂去胶。 哈工大(威海) 现代加工技术 哈工大(威海) 现代加工技术 现代数控技术 哈尔滨工业大学现代数控技术 哈尔滨工业大学现代数控技术 现代数控技术 哈尔滨工业大学现代数控技术 现代数控技术 化学加工 * 贾宝贤 5687026 Chemical MachiningCHM 课程内容大纲 * ?1绪论 ?2电火花加工 ?3电火花线切割加工 ?4电化学加工 ?5超声波加工 ?6磨料与水喷射加工 ?7激光加工 ?8快速原型制造 ?9电子束、离子束加工 ?10化学加工、等离子体、磁性磨料加工、挤压珩磨 基本概念 * 化学加工（Chemical Machining, CHM)是利用酸、碱、盐等化学溶液对金属产生化学反应，使金属溶解，改变工件尺寸和形状（或表面性能）的一种加工方法。 化学加工的应用形式很多，但属于成形加工的主要有化学蚀刻和光化学腐蚀加工法。属于表面加工的有化学抛光和化学镀膜等。 本讲内容 * 一、化学蚀刻加工 二、光化学腐蚀加工 三、化学抛光 四、化学镀膜 化学刻蚀加工的特点 * 金属的溶解速度与工件材料的种类及溶液成分有关。 1）可加工任何难切削的金属材料，而不受硬度和强度的限制，如铝合金、钼合金、钛合金、镁合金、不锈钢等。 2）适于大面积加工，可同时加工多件。 3）加工过程中不会产生应力、裂纹、毛刺等缺陷，表面粗糙度可达Ra2.5～1.25um。 4）加工操作技术比较简单。 化学刻蚀加工的特点 * 1）不适宜加工窄而深的槽和型孔等。 2）原材料中缺陷和表面不平度、划痕等不易消除。 3）腐蚀液对设备和人体有危害，故需有适当的防护性措施。 化学加工的应用范围 1）主要用于较大工件的金属表面厚度减薄加工。铣切厚度一般小于13mm。如在航空和航天工业中常用于局部减轻结构件的重量，对大面积或不利于机械加工的薄壁形整体壁板的加工亦适宜。 2）用于在厚度小于1.5mm薄壁零件上加工复杂的型孔。 2.化学铣削工艺过程 * 其中主要的工序是涂保护层、刻形、化学腐蚀。 表面预处理 涂保护层（涂层厚度约0.2mm） 固化 刻型 腐蚀 清洗 去保护层 （1）涂覆 * 在涂保护层之前，必须把工件表面的油污、氧化膜等清除干净，再在相应的腐蚀液中进行预腐蚀。在某些情况下还要先进行喷砂处理，使表面形成一定的粗糙度，以保证图层与金属表面粘接牢固。 　　　保护层必须具有良好的耐酸、碱性能，并在化学刻蚀过程中粘接力不能下降。 　　　常用的保护层有氯丁橡胶、 丁基橡胶、丁苯橡胶等耐蚀涂料。 涂复的方法有刷涂、