复旦大学微电子半导体器件第四章非平衡统计.pptVIP

第四章 非平衡载流子 准费米能级 非平衡载流子寿命 非平衡载流子复合机制 复合和陷阱 非平衡载流子的漂移与扩散 爱因斯坦关系 电中性条件 连续性方程及某些解 非平衡载流子的俘获、复合、扩散和漂移！ 非平衡和非平衡载流子 上面一章讲的是在外加电场比较低的情况下，这时半导体的热平衡已经被破坏，但是电场仅仅改变载流子的运动速度而没有改变载流子的浓度。 本章讲述的是有足够大的外加激发，使载流子的浓度发生变化的情况。 非平衡载流子的产生 光注入 电注入 准热平衡 由于非平衡载流子平均生存的时间（约 秒）比载流子的平均自由时间（约 秒）长得多，所以被激发出来电子和空穴会很快通过散射使子系统内部分别达到准热平衡(约 秒），而子系统互相之间却不能达到平衡，这段时间为准热平衡。 准费米能级 在非平衡载流子生存的大部分时间内，子系统准平衡条件成立，因此子系统内部可以应用平衡态统计理论，对子系统可以引用准费米能级。 这时载流子浓度可以写成： 非平衡少数载流子的准费米能级变化大 电子和空穴的准费米能级分别是 和 显然多数载流子和少数载流子准费米能级变化的方向相反，非平衡少数载流子的准费米能级变化大。 两种载流子的准费米能级趋向一致就意味着两个子系统之间趋向热平衡。 非平衡载流子的寿命 非平衡载流子产生以后，一旦产生的源