薄膜技术应用第三章薄膜形成结构与缺陷.pptVIP

?表面结构 薄膜表面形成过程 由热力学能量理论，薄膜表面平化 晶粒的各向异性生长，薄膜表面粗化 低温基片上，薄膜形成多孔结构 1薄膜的结构 ?表面结构 薄膜表面结构与显微结构有关 大多数蒸发薄膜具有如下特点： 呈柱状颗粒和空位组合结构； 柱状体几乎垂直于基片表面生长，而且上下端尺寸基本相同； 平行于基片表面的层与层之间有明显的界面。 表面结构包括外表面和内表面。 1薄膜的结构 ?表面结构 薄膜晶粒织构（组织结构）模型 1薄膜的结构 ?表面结构 薄膜晶粒织构（组织结构）模型 1薄膜的结构 ?表面结构 薄膜晶粒织构（组织结构）模型 1薄膜的结构 ? 点缺陷 2薄膜的缺陷 ? 点缺陷 2薄膜的缺陷 ? 点缺陷 2薄膜的缺陷 ? 点缺陷 2薄膜的缺陷 ? 点缺陷 空位是热力学稳定的缺陷 不同金属空位形成能不同 空位浓度与空位形成能、温度密切相关 薄膜中原子空位的主要效果主要表现在晶体体积和密度上。薄膜中空位浓度在平衡浓度以上，所以它的密度比体材料小。 2薄膜的缺陷 ?位错 位错是薄膜中最常遇到的缺陷之一，是晶格结构中一种“线型”的不完整结构。 薄膜中的位错密度： 优质体单晶位错密度： 强烈塑性变形晶体位错密度： 刃型位错 螺型位错 混合位错 2薄膜的缺陷 ?位错 形成原因：a.基体引起的位错；b.小岛的凝结 2薄膜的缺陷 ?位错 2薄膜的缺陷 ?晶粒间界 2薄膜的缺陷 ?晶粒间界 2薄膜的缺陷 ?层错缺陷 2薄膜的缺陷 ?层错缺陷 Cubic Close Packing Hexagonal Close Packing (CCP = FCC) (HCP) 2薄膜的缺陷 3-2 核形成与生长 3.2 原子聚集理论（统计理论） 问题提出 热力学界面能理论的两个假设：一是认为核尺寸变化时，其形状不变；二是认为核的表面自由能和体积自由能与块体材料相同。 显然，此假设只适用于比较大的核（大于100个以上的原子）。 3-2 核形成与生长 ?原子聚集理论（统计理论） 原子聚集理论的基本内容 为了克服理论上的困难，1924年Frenkel提出了成核理论原子模型，并不断发展。 临界核 原子聚集理论将核（原子团）看作一个大分子，用其内部原子之间的结合能或与基片表面原子之间的结合能代替热力学理论中的自由能。 当临界核尺寸减小时，结合能出现不连续性、以及几何形状不能保持不变。 无法给出临界核大小的解析式。 3-2 核形成与生长 ?原子聚集理论（统计理论） 3-2 核形成与生长 ?原子聚集理论（统计理论） 温度T 1、 T2和T3称为转变温度或临界温度转变温度或临界温度，有如下计算公式： 原子团结构也与吸附能和结合能有关。如4原子团有平面结构和四面体结构： 平面结构：吸附能为4 E d ，结合能为5 E 2 四面体结构：吸附能为3 E d ，结合能为6E 2 只有 时，才能形成四面体结构。 3-2 核形成与生长 成核速率 成核速率与临界核面密度、临界核捕获范围和吸附原子向临界核扩散的总速率有关。 由统计理论可得到临界核密度： 式中，n 0和n1分别为基片表面上的吸附点密度和吸附单原子密度， i为临界核中的原子数目， Ei是临界核的结合能， E1是单原子吸附状态下的势能。 3-2 核形成与生长 成核速率 若将E1作为能量基准，则 3-2 核形成与生长 成核速率 令 ， 可以得到转变温度T 1 ， 可以得到转变温度 T 2 3-2 核形成与生长 ?两种成核理论的比较 a.理论依据的基本概念相同，得到的成核速率公式的形式相同； b.采用的能量不同：热力学界面能理论用自由能，原子理论用结合能； c.微观结构模型不同：热力学界面能理论采用简单理想化几何构型（能量连续变化），原子理论采用原子团模型（能量非连续）； d.热力学界面能理论适用于大的临界核，原子理论适用于很小的临界核； e.两种理论都能正确给出成核速率和临界核、基片温度和基片性质的关系。 3-3薄膜形成过程与生长模式 薄膜形成过程是指形成稳定核之后的过程。 薄膜生长模式是指薄膜形成的宏观形式。 3-3薄膜形成过程与生长模式 ?薄膜形成过程描述: 1. 单体吸附； 2. 形成小原子团（胚芽）； 3. 形成临界核（开始成核）； 4. 临界核捕获原子，开始长大； 5. 临界核长大的同时，在非捕获区，单体逐渐形成临界核； 6. 稳定核长大，彼此连接形成小岛，新面积形成； 7. 新面积吸附单体，发生“二次”成核； 8. 小岛结合形成大岛，大岛长大并相互结