酸错体法用合成.pptVIP

* アモルファスクエン酸錯体法を用いて合成した ＴｉＯ２添加ＩＴＯ焼結体の電気特性 (千葉大)○西山　伸 ? 向囿　充 ? 服部豪夫 1998年10月 秋季シンポジウム at 名古屋 2A16 Indium Tin Oxide (ITO) In2O3にSnO2を5～10wt%程度ドープした酸化物 （In1-xSnx）2O3 : x = 0.05～0.10 ? 高い電気伝導度を持ち、薄膜は、可視光を透過 → 透明電極として広く実用化されている。 ? 電気伝導度(室温で106 S/m程度) - 高いキャリア濃度 ← Sn置換の量により、キャリア濃度を コントロール可能 - 高いキャリア移動度 ← 結晶構造:c-希土類 ? 熱電変換材料として応用可能 In2O3 :c-希土類型( Sc2O3型?bixbite型)構造 ?陰イオンが欠けた 8個のホタル石構造　 → 陽イオン電子雲の 　 重なり 高いキャリア移動度 比較的密度の高いバルク試料が必要 熱電変換材料 ?熱と電気のエネルギーを素子により直接変換 ?変換効率の高い材料が必要 - 出来るだけ高いキャリア移動度を持つ - 制御可能なキャリア濃度 ところが、 In2O3, SnO2, ITOともに高温で蒸気圧が高い →難焼結性 ? 原料粉末調製法 → アモルファスクエン酸錯体法 ? 焼結助剤の添加 → TiO2 アモルファスクエン酸錯体法の概略図 熱処理 ( か焼 ) か焼粉末 ( 組成均一性に優れた微粒子による粉末 ) , 金属イオン 酸性溶媒 加熱（脱水縮合） ポリマー鎖 高分子錯体 クエン酸 キレート錯体 （金属イオンが均一に分散） （溶液時の均一な分散状態を維持) 希硝酸 濃硝酸 (90℃) クエン酸 In 2 O 3 SnC 2 O 4 Ti[OCH(CH 3 ) 2 ] 4 混合溶液 脱水 (90℃) ゾル 前駆体ゲル 減圧乾燥 (95℃) か焼 (300 ～ 1000℃, ２ h) か焼粉末 粉末Ｘ線回折測定 CIP 成形 (100MPa, 10min) 焼結 (1400℃, 2h) 焼結体 密度測定 電気伝導度測定 組成比： (In 0.9 Sn 0.1 ) 2 O 3 ゼーベック係数測定 実験手順 １．試料合成 実験手順 ２．評価 密度測定 電気伝導度測定 ゼーベック係数測定 ?アルキメデス法 ?交流4端子法 1kHz , 1V (擬直流) ?900℃～室温 ?10℃/minで降温 ?室温において 両端に±5℃の温度差を付け 発生する起電力を測定 1cm 電気伝導度測定試料 か焼粉末のX線回折パターン (In0.9Sn0.1)2O3 (In0.9Sn0.1)2O3 - xTiO2 添加したTiO2は固溶している か焼条件の最適化 Relative density of sintered bodies of ITO as a function of calcining temperature TiO2添加による緻密化 Relative density of TiO2-added ITO bodies 0 1 2 3 4 5 50 60 70 80 90 100 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 TiO 2 content / mol% Relative density / % Calcined at 600℃ for 2h Sintered at 1400℃ for 2h : pellet : rectangular sample Bulk density / 10 3 kg·m -3 SEM写真 SEM fractographs of sintered bodies of x mol% TiO2 added - (In0.9Sn0.1)2O3 1 2 3 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 1000T -1 / K -1 900 500 300 100 rate : –10℃ / min measured in air log( s / S· m -1 ) Temperature / °C 1.0mol% TiO 2 -(In 0.9 Sn 0.1 ) 2 O 3 [R.D.=91%] In 2 O 3 [R.D.=68%] (In 0.9 Sn 0.1 ) 2 O 3 [R.D.=60%] Electrical conductivity(s) In2O3, ITO, TiO2添加ITOの電気特性 In2O3へのSn, Tiの添加 ?3価元素位置に4価の元素 → どちらもキャリア