半导体器件东北大学.pptVIP

  • 7
  • 0
  • 约8.86千字
  • 约 46页
  • 2019-12-13 发布于广东
  • 举报
3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 通常定义为静态(直流)电流放大倍数。 称为动态(交流)电流放大倍数。  发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极放大电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 三. 特性曲线 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 工作在放大状态时发射结压降: 硅管: UBE ? 0.6~0.7V 锗管: UBE ? 0.2 ~ 0.3V 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 输出特性曲线通常分三个工作区: IC mA UCE IB EC V + – – + 2.

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档