半导体超晶格和量子阱-(公开课件).pptVIP

半导体超晶格和量子阱;半导体超晶格和量子阱;§1 引言  1970年IBM公司江崎(Esaki), 朱兆祥(Tsu) ： “Superlattice and Negative Deferential Conductivity in Semiconductors” ， 周期性地外延生长半导体超晶格：微带结构，布里渊区大大缩小，负微分电导。 1971年第一个GaAs/AlxGa1-xAs人工周期结材料: “L. Esaki, L.L.Chang. R.Tsu, 12th Low Temp. Phys. Kyoto, Japan P.551” 1972年观察到负微分电导，输运的振荡现象，微带结构。 随后，新颖的物理现象被揭示，新理论被提出，与之相应的高性能的新型器件被研究和开发。 ;???条影区指具有相近晶格常数但不同能隙宽度的材料 在区内材料原则上都可组成异质结超晶格 图中的连线是指这些材料都可形成特定的合金;超晶格: Esaki和Tsu（江崎和朱兆祥）在1969年提出了超晶格概念，设想将两种不同组分或不同掺杂的半导体超薄层A和B交替叠合生长在衬底上，使在外延生长方向形成附加的晶格周期性。 ;超晶格多量子阱能带结构示意图;超晶格分类;（1）组分调制超晶格 在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则