半导体第十二讲接触与互联01-(公开课件).pptVIP

考试时间： 下周四上午10:00-12:00 地点:另行通知 考试方式：开卷 题型：卷面120分 判断对错 填空 选择 名词解释 简答题 工艺流程图 计算题 带证件和计算器 最终成绩 100分制：考勤：10%，实验报告：20%，期末试卷：70% 集成电路工艺原理 第八讲 接触与互联 淀积、金属化、刻蚀、CMP（18章）综合 Metalization 化学机械抛光CMP 1）随着特征尺寸的减小，受到光刻分辨率的限制： R，则l和/或NADOF下降！！！ 例如： 0.25 mm 技术节点时，DOF  208 nm 0.18 mm 技术节点时，DOF  150 nm 0.25 mm 后，必须用CMP才能实现表面起伏度200 nm 必要性 传统平坦化 Etchback Glass Reflow Spin-on-films Etchback Planarization 玻璃回流 旋涂膜层 2）可以减少金属在介质边墙处的减薄现象，改善金属互连性能 不平坦时的台阶覆盖问题 使用CMP之后 9 CMP 三个关键硬件： Polishing pad Wafer carrier Slurry dispenser 平整度 CMP Oxide Mechanism Mechanism for Metal CMP 高密度线条区域的CMP侵蚀 CMP Dishing in a Large Fe