半导体物理第二章-(公开课件).pptVIP

第2章 半导体中杂质和缺陷能级 要求 掌握锗、硅晶体中的杂质能级， Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级。 理解点缺陷。 实际半导体晶体 杂质 (impurity)：在半导体晶体中引入的新的原子或离子 缺陷 (defect)：晶体按周期性排列的结构受到破坏 掺杂工艺 ? 在单晶生长过程中掺入杂质 在高温下通过杂质扩散的工艺掺入杂质 离子注入杂质 在薄膜外延工艺过程中掺入杂质 用合金工艺将杂质掺入半导体中 掺杂浓度(施主杂质ND，受主杂质NA) 掺杂浓度：单位体积中掺入杂质的数目。 1014~1020cm－3 硅晶体中：5x1022cm－3个原子 请估算杂质原子与Si原子的比例。 为什么极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理、化学性质产生决定性影响？ 杂质和缺陷的存在，会使周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级），从而对半导体的性质产生决定性影响。 杂质、缺陷能级位于禁带之中 2.1.1替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质:取代晶格原子 杂质原子的大小与晶体原子相似 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 间隙式杂质:位于晶格原子间隙位置 杂质原子小于晶体原子 杂质浓度：单位体积内的杂质原子数 元素周期表 2.1.2施主杂质、施主能级 施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为