半导体原理 -(公开课件).pptVIP

 半导体三极管机理综述： MOS管的工作原理 本章小结 N沟道结型场效应管的 转移特性曲线 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ VP 3. 转移特性与输出 特性的对应关系 低频跨导： (1.4.1) 结构、分类和电路符号 （补充） P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 1.4.2绝缘栅场效应管: P N N G S D 金属铝 导电沟道 G S D N沟道增强型 N沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P沟道增强型 P沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 一、N沟道增强型MOS管 P N N G S D UDS UGS 1、工作原理 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 2、特性曲线与电流方程 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 2、 集电极最大 允许电流ICM 1、 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 三. 极限参数 3、 反向击穿电压 ?