第二节氧化铝瓷.ppt

* 3.4? AlN瓷 ? 氮化铝陶瓷基片 * 1、A1N属于纤锌矿型结构。 N作六方堆积，Al填充在一半的四面体空隙中。 2、A1－N为共价键，价键性很强。 3、平均原子量M平均=20.49。 * 4、热导率理论上达3.2w／cm·K。 达到理论纯度和理论密度时的测量值为理论值。 5、AlN对密度很敏感。 对AlN采用热压烧结，才能提高其密度，因此对烧结设备要求很高。 6、对杂质敏感。 * 杂质：杂质O可以以Al0.67O 的方式占据N的位置，Al占据AlN中Al的位置，在晶体中存在Al空位，引起晶格常数改变，晶格常数↓，质点间键合减弱，不利于热量传递，热导率↓。 杂质C，Al2OC(铝氧碳化物 )，当C溶解于AlN中时，位置关系与AlN相同，但O、C价数与N不同O-2、C-2、N-3，以异类质点的形式存在，Al2OC的固溶导致晶格常数增大。 * 7、AlN合成工艺 （1）用纯Al粉在适当的温度下通N2直接电弧来合成。 （2）Al做成电极，在氮气中，电极间产生直接电弧来合成。 8、AlN陶瓷的特点： （1） AlN陶瓷的毒性不如BeO陶瓷； （2）热导率高； * （3）膨胀系数可与半导体硅片匹配； （4）具有高的绝缘电阻和绝缘强度； （5）介电系数低，介质损耗小； （6）机械强度高； （7）适合于流延成型工艺。 * 9、应用 可用于化合物半导体单晶生长用坩埚，高频声表面器件用基片，高纯AlN薄膜的射靶，红外光和微波窗口材料等。 * 作业： 1、P130，习题 某厂采用下列配方生产75瓷，求烧成瓷体的平衡矿物组成。烧滑石的理论组成为66.6%SiO2和33.4%MgO。 原 料 烧Al2O3 烧滑石 CaCO3 配料比/% 95 4 1 * 2、什么是高热导率陶瓷？高热导率陶瓷的结构特点是什么？ * 4、低铝瓷（通常所说的75瓷）含Al2O375～80%。 （1）粘土和其它氧化物含量达20～25%。 加入大量粘土和其它氧化物后，烧结温度大大?，1400℃? (高铝瓷1700℃?)。 * （2）加入大量粘土后使胚体的可塑性大大↑。 Al2O3的可塑性很差，成型困难，因此高铝瓷常借助于石蜡等，成型后还要经过一道脱蜡工序。难免在瓷体中留下空隙。 但粘土会使机械强度?，电性能?。 * 2.3 氧化铝陶瓷的应用和金属化 一、Al2O3陶瓷的应用 1、用作真空电容器的陶瓷管壳，通常用95瓷。真空电容器是以真空为介质的一种电容器，使介质与外界环境隔离，电气特性的环境稳定性非常高。介电损耗趋于零，非常适于在高频下使用。 * 2、用作电子管管壳，要求强度高，能承受一定的冲击，绝缘性能好，漏导电流小，抗电强度高。密封性好。 3、微波管壳，主要用于雷达及卫星通讯等方面。要求高频损耗低。 4、电路基板，要求绝缘性能好。 * 二、Al2O3陶瓷的金属化 陶瓷金属化：指在陶瓷器件的封接表面，用适当的方法涂上一层能与陶瓷紧密结合的金属层，使之能够顺利进行陶瓷与金属或陶瓷间的联结。 * 钼锰法金属化： 在陶瓷表面涂上一层MoMn涂粉，在一定温度下烧结，金属与陶瓷间相互扩散，形成表面金属层与陶瓷体的牢固结合。 * 金属化机理： ①MoMn金属化涂层中的Mn向Al2O3陶瓷的内部扩散，在陶瓷和金属化涂层之间的中间层内，Mn的浓度相当高； ②金属化涂层中的主要金属Mo没有明显的扩散。 * ③Al2O3陶瓷中的熔剂类氧化物向钼锰金属化涂层中扩散相当显著。涂层中的Mn将部分或绝大部分氧化成MnO，与陶瓷以及涂层中的SiO2、Al2O3、CaO等形成玻璃相，部分结合成MnO·Al2O3尖晶石，通过相互扩散使玻璃相填充了金属化涂层中海棉状金属钼烧结体的孔隙，实现了陶瓷与金属化涂层间的结合，即完成陶瓷的金属化。 * 氧化铝陶瓷研究现状 1、低介电损耗微晶氧化铝陶瓷研究 （张巨先，直空科学与技术学报2006第26卷） 造成Al2O3陶瓷介电损耗较大的原因主要是Al2O3陶瓷中烧结添加剂含量较多和剩余气孔率较高。作者采用超细Al2O3粉，通过特殊烧结工艺制备了高致密、高纯微晶Al2O3陶瓷，从而制备出低介电损耗微晶Al2O3陶瓷。 * (1) 采用超细、高纯Al2O3粉体，通过合适的方法将少量烧结添加剂MgO均匀加入到Al2O3粉中，经过两次烧结，可以制备出高致密、微晶Al2O3陶瓷。 (2) 采用合适的制备工艺，可以制备出微晶Al2O3陶瓷，其介电损耗为1×10-5 ，比等静压95％ Al2O3陶瓷的低近两个数量级，降至蓝宝石的水平。 低介电损耗微晶Al2O3陶瓷可用作微波管中输能窗材料。 * 2、纳米Al