半导体光电子学第一章半导体中光子电子.ppt

高能电子产生率 高能空穴产生率 ——总俄歇复合速率 ——俄歇复合寿命 小注入情况下 本征情况下 由贝蒂建立的微扰理论可以得到 Eg越小，波长越长，Auger复合系数越大 CHHS俄歇复合速率随Eg-Δ的减小而增加。在InGaAsP中随着As含量y的增加（对应激射波长增加），由式(1.6-25)可见，自旋-轨道裂矩Δ也相应增加，所以复合速率增加更大，这是长波半导体激光器遇到的难题。 碰撞电离和俄歇复合都需要一定的激活能才能发生。为产生碰艘电离，依照能量和动量守恒，电子和空穴的动能必须超过禁带宽度而达到某一阈值ET。在室沮下，对 Ge 、Si和 GaAs等所测得的这一阈值动能都在Eg的1.5倍以上。俄歇夏合过程的初态和终态不可能都与能带极值重合，故其动能之和也必须超过一定的阂值（ET-Eg） ，俄歇复合才能发生。阈值能 ET与禁带宽度ET和自旋一轨道裂矩 △ 的关系被表示为 1.7增益系数与电流密度的关系 (1.5-25) (1.5-24) 我们已从量子跃迁速率出发得出了增益系数的表达式，从而对增益系数有了一些定性的了解。 由式(1.5-24)可以看到，一旦在半导体材料中出现了粒子数反转，即满足fc＞fv，则在半导体材料中就有正的增益(或负的吸收)，受激发射速率将大于受激吸收速率。 但是，粒子数反转条件是靠外加注入电流来实现的，因此，增益系数并不是半导体材料本