chapter4金属、半导体-(公开课件).pptVIP

* * 能带的形成 晶体中电子共有化的结果，使得晶体内电子的能量状态不同于孤立原子中的电子： 晶体内电子的能量可以处于一些允许的范围之内，这些允许的范围称为能带;不能处于两个能带之间的区域，此区域称为禁带。 以硅为例:每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm,致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。 关于能带的形成，可以从晶体中各个原子的能级的相互影响来说明，在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子，且电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。 孤立的原子，其轨道电子的能量由一系列分立的能级所表征； 原子结合成固体时，使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 在单个原子中，电子具有分离的能级如 1s,2s,2p 等，如果晶体内含有 N 个相同的原子，那么原先每个原子中具有相同能量的所有价电子，现在处于共有化状态。这些被共有化的外层电子，由于泡利不相容原理的限制，不能再处于相同的能级上，这就使得原来相同的能级分裂成 N 个和原能级相近的新能级。 由于N 很大，新能级中相邻两能级的能量差仅为 10-22eV，几乎可以看成是连续的，N 个新能级具有