南京大学-晶体生长-Chapter 5 晶体生长动力学.ppt

1953年，Bucton等给出了有效分凝系数ke的表达式 将非平衡态的界面分凝系数近似地看作是平衡过程，于是k*≌k0(平衡分凝系数)，则 * PPT课件 根据上式： 当δc→0，即熔体作充分的搅拌，熔体中的溶质浓度均匀分布时，则 exp(-γδc/D)=1, 所以 ke=k0 δc→∞时，即熔体不作搅拌， 则有exp(-γδc/D)=0，所以ke=1 实际上，晶体的生长过程，总是介于上述两种极限情况之间。 即：溶质的有效分凝系数 k0ke1(k01) 或 k0ke1(k01) * PPT课件 2、搅拌对溶液晶体生长速率的影响 溶液被搅拌的越充分，溶质边界层的厚度（ δc ）也越薄，溶质在边界层内的浓度梯度越大，晶体生长速率也随着相应的增大。 加快搅拌速率时，溶质浓度梯度所引起的变化如图2.12 * PPT课件 1967年，英国，Brice 讨论了搅拌对水溶液晶体生长速率的影响。 当δc →0时，即相当于溶液充分搅拌的情况，晶体生长主要由动力学控制 * PPT课件 当δc →∞时，即完全不搅拌的情况下，晶体生长主要由溶质边界层效应控制 此时，晶体质量生长速率趋于极小值，相当于准静态生长 * PPT课件 §2.4 晶体生长界面的稳定性 晶体生长界面的稳定性涉及到晶体质量的优劣，当生长优质块状大单晶时，相变必须在稳定的界面上发生才能保持晶体结构的均一性。 即晶体生长过程中的界