二极管温度效应与电容效应.pptVIP

PN结的温度特性 PN结的电容效应 2.6节、2.7节 一 I-V 特性的温度依赖关系 PN结中存在少子注入引起的扩散电流、空间电荷区的产生与复合电流和隧道电流。隧道电流对温度不敏感，扩散电流和产生、复合电流依赖于温度： ni 随温度增加而迅速增加，在高于室温时，不太大的正偏压下就使 Id 占优势。 正偏： 反偏： 随温度增加，ni 增大，扩散电流 Id 也占优势 无论正偏或是反偏，(2-48)式足以描述大多数二极管 I-V 特性对温度的依赖关系： 说明 1、I0 的温度依赖关系： 主要体现在 ni 对温度的依赖关系上： 反应了反偏情况下，I-V 特性的温度效应 反偏 - 正偏 取 和 2、正偏时 的温度依赖关系： ？ 对于硅二极管，Eg0＝1.21eV，典型的工作电压为0.6V；在室温(300K)时，每增加 10oC，电流约增加l倍；电压随温度线性地减小，系数约为-2mV/oC ；结电压随温度变化十分灵敏。可利用这一特性来精确测温和控温。 思考题： PN结温度系数的测试分析 ？ 硅二极管正向温度依赖关系 - 阈值电压减小 硅二极管反向温度依赖关系 - 二 PN 结的势垒电容 PN空间电荷区的电荷量随外加偏压而变化的现象，表明PN结具有电容效应。利用PN结电容效应可制成变容二极管和集成电路中所需的电容。 接通电源，对电容充电，直至两个极板间的电位差等于外加电压。极板