数字集成电路系统设计.pptVIP

* 输出缓冲器 负载10PF，最终输出级的上升、下降时间是1ns 的驱动电路的三种设计方案 * 输出缓冲器 性能比较 实际缓冲器的设计应从速度、功耗和面积综合考虑 * CMOS集成电路的I/O设计 输入缓冲器 输出缓冲器 ESD保护电路 输入端ESD保护电路 输出端ESD保护电路 电源的ESD保护电路 三态输出的双向I/O缓冲器 * ESD保护电路 如果 MOS晶体管的栅氧化层上有很大的电压，会造成氧化层击穿，使器件永久破坏 随着器件尺寸减小，栅氧化层不断减薄，氧化层能承受的电压也不断下降 tox＝5nm时，VGm=5V 由于MOS晶体管的栅电容很小，积累在栅极上的杂散电荷就能形成很大的等效栅压，引起器件和电路失效，这就是ESD问题（Electrostatic Discharge, ）静电释放 * ESD保护电路 ESD应力的四种模式 某一个输入（或输出）端对地的正脉冲电压（PS） 某一个输入（或输出）端对地的负脉冲电压（NS） 某一个输入或输出端对VDD端的正脉冲电压（PD） 某一个输入或输出端对VDD端的负脉冲电压（ND） 在芯片的输入和输出端增加ESD保护电路 * 输入端ESD保护电路 双二极管保护电路 PS：D2击穿 NS：D2导通 PD：D1导通 ND：D1击穿 栅极电位钳制在 * 输入端ESD保护电路 双二极管保护电路的版图 * 输入端E