半导体器件物理第二章电荷贮存和反响瞬变.ppt

2.9 电荷贮存和反响瞬变 PN结二极管的开关作用： PN结二极管处于正向偏置时，允许通过较大的电流，处于反向偏置时通过二极管的电流很小，因此，常把处于正向偏置时二极管的工作状态称为开态，而把处于反向偏置时的工作状态叫作关态。可见结二极管能起到开关作用。 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 PN结的反向瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 PN结二极管的电荷贮存效应： PN结加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在结二极管中，在扩散区建立确定的非平衡少数载流子分布，这种现象称为电荷贮存效应。 注入的载流子分布： * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * ts降低 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 2.10 P-Ｎ结击穿 PN结击穿：当加在PN结上的反偏压增加到一定数值，再稍微增加，PN结就会产生很大的反向电流。这种现象叫做结击穿。击穿过程并非具有破坏性的，只要最大电流受到限制，它可以长期地重复。 击穿机制： 齐纳击穿：齐纳提出在高电场下耗尽区的共价键断裂产生电子和空穴，即有些价电子通过量子力学的隧道效应从价带转移到导带，从而形成反向隧道电流。齐纳击穿发生在低电压情况下，比如硅PN结低于4伏特情况下发生的击穿。