半导体二极管和晶体管1.pptxVIP

§4.1 半导体物理基础知识;4.1.1、本征半导体;1.本征半导体的晶体结构;2本征激发和两种载流子; 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于数目很少，故导电性很差。;;; 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。; P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，;电子电流;扩散运动;参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。即扩散过去多少多子，就有多少少子漂移过来; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;;PN结加正偏时： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，近似截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结电流方程; 当u 比UT大几倍时;PN结的击穿特性;3.PN 结的电容效应（自学）;4.